[发明专利]一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法在审
| 申请号: | 202111664544.4 | 申请日: | 2021-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN114163945A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 罗富国;麦启波 | 申请(专利权)人: | 江苏皇冠新材料科技有限公司 |
| 主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;C09J7/40;C09J133/08;C09J183/04;C09J183/07;C09J11/06;C09J11/04 |
| 代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 常涵清 |
| 地址: | 215400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 抗静电 硅胶 保护膜 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法,包括基膜;设置在所述基膜上的抗静电丙烯酸胶层;嵌入在所述抗静电丙烯酸胶层内的有机硅胶层,以及设置在有机硅胶层上的隔离膜层;其中,所述抗静电丙烯酸胶层为网格状,所述抗静电丙烯酸胶层与所述有机硅胶层的厚度比例为1:1‑1.5,本发明通过将抗静电丙烯酸胶层与硅胶层形成网格镶嵌结构,并通过两层胶厚的厚度比例可以精准调节抗静电硅胶保护膜的抗静电效果,从而生产多种抗静电值保护膜来满足客户不同应用需要,抗静电硅胶保护膜的胶面抗静电为106‑11Ω/sq,抗静电硅胶保护膜单位面积的表面晶点小于2个,提高了抗静电硅胶保护膜的成品率,延长使用寿命。
技术领域
本申请涉及硅胶保护膜技术领域,具体涉及一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法。
背景技术
硅胶保护膜是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜,适用于手机、电脑、各类屏幕显示器等表面防刮防尘防辐射的保护膜,目前市场上主要使用的抗静电硅胶保护膜主要有两种,一种主要是在抗静电基材表面涂布有机硅得到抗静电硅胶保护膜,但其胶面抗静电微弱,常规都大于1010Ω/SQ,剥离电压在1KV左右;另外一种主要是在有机硅胶水中添加碳纳米管分散后形成抗静电有机硅胶水,在抗静电基膜表面涂布抗静电有机硅胶水后,得到抗静电硅胶保护膜,这种抗静电保护膜主要缺点是生产成本高,生产分散过程复杂,容易出现产品外观晶点异常导致保护膜无法使用。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法,解决了现有技术中抗静电亚克力保护膜抗静电效果差、外观晶点多、对被贴物表面润湿慢、排气性差等技术问题。
根据本发明的一个方面,本发明提供了一种抗静电硅胶保护膜,所述抗静电硅胶保护膜包括:基膜;设置在所述基膜上的抗静电丙烯酸胶层;嵌入在所述抗静电丙烯酸胶层内的有机硅胶层,以及设置在有机硅胶层上的隔离膜层;其中,所述抗静电丙烯酸胶层为网格状,所述抗静电丙烯酸胶层与所述有机硅胶层的厚度比例为1:1-1.5。
作为优选的,所述抗静电丙烯酸胶层包括按质量百分含量计的如下组分:
作为优选的,所述光敏剂包括安息香丁醚或乙醚的任意一种或两种;所述引发剂包括过氧化苯甲酰或过氧化月桂酰的一种或两种。
作为优选的,所述有机硅胶层包括按质量百分含量计的如下组分:
作为优选的,所述MQ树脂中M单元与Q单元的比例为:0.5M:Q1,其中M为R3SiO1/2,Q为SiO4/2,其他活性官能团为羟基;
所述乙烯基硅油的黏度为5000-15000mpa.s;
所述交联剂为含氢硅油;
所述偶联剂为氨基、乙烯基、甲基丙烯酰氧基、环氧基、巯烃基硅烷类偶联剂中的任意一种;
所述催化剂为二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物;
所述光引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦中的任意一种或多种。
作为优选的,所述基膜的材质为材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET)、聚酰亚胺膜(PI)、未拉伸聚丙烯膜(CPP)、聚烯烃膜(PO)、聚乙烯膜(PE)、聚乳酸膜(PLA)中的任意一种或多种。
作为优选的,所述隔离膜层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET)、聚丙烯膜(PP)、聚乙烯膜(PE)、聚乳酸膜(PLA)中的任意一种或多种。
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