[发明专利]一种微反应通道、微流反应器和量子点的制备方法在审
| 申请号: | 202111663057.6 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN116408159A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
| 发明(设计)人: | 王元 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00;B01J19/00;B82Y20/00;B82Y40/00;C09K11/56;C09K11/88 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 反应 通道 反应器 量子 制备 方法 | ||
1.一种微反应通道,其特征在于,所述微反应通道包括多个串联的心形腔体,每个所述心形腔体包括相对设置的心形腔入口和心形腔出口,多个所述心形腔体通过所述心形腔入口和所述心形腔出口串联连通。
2.根据权利要求1所述的微反应通道,其特征在于,所述心形腔入口的尺寸大于等于所述心形腔出口的尺寸。
3.根据权利要求1所述的微反应通道,其特征在于,多个所述心形腔体包括相邻设置的第一心形腔体和第二心形腔体,所述第一心形腔体和所述第二心形腔体之间设置有连接通道,所述连接通道的第一端连通所述第一心形腔体的心形腔出口,所述连接通道的第二端连通所述第二心形腔体的心形腔入口;沿着所述第一心形腔体的心形腔出口指向所述第二心形腔体的心形腔入口方向上,所述连接通道的截面逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的微反应通道,其特征在于,在所述微反应通道的延伸方向上,所述心形腔体的最大长度与所述连接通道的长度之比为1.5:1~2:1。
5.根据权利要求1所述的微反应通道,其特征在于,所述心形腔体内设有分流壁;
所述分流壁包括主干部、第一分支部和第二分支部,所述主干部一端为起始部,另一端为分支连接部;所述分支连接部连接所述第一分支部和所述第二分支部;其中,所述主干部的所述起始部靠近所述心形腔入口设置,所述第一分支部和所述第二分支部朝向所述心形腔出口且背离彼此方向延伸。
6.根据权利要求5所述的微反应通道,其特征在于,每个所述心形腔体由相对且间隔设置的第一壁和第二壁、以及连接所述第一壁和所述第二壁的侧壁围设形成;
所述第一壁被所述侧壁限定为心形,所述第二壁被所述侧壁限定为心形。
7.根据权利要求6所述的微反应通道,其特征在于,所述分流壁设置于所述第一壁和第二壁之间的间隔,并且所述分流壁与所述第一壁和/或所述第二壁相连接;
所述第一分支部和所述第二分支部相对于所述心形腔入口和所述心形腔出口的连线所在平面呈轴对称。
8.根据权利要求7所述的微反应通道,其特征在于,第一分支部包括远离所述分支连接部的第一端,所述第二分支部包括远离所述分支连接部的第二端,所述第一端与所述侧壁的距离为400~600μm,所述第二端与所述侧壁的距离为400~600μm;和/或
所述第一壁与所述第二壁的间距为750~1000μm。
9.根据权利要求5所述的微反应通道,其特征在于,所述主干部向所述心形腔入口延伸至所述起始部位于所述心形腔入口。
10.一种微流反应器,其特征在于,包括依次连通的进样通道、微反应通道和流出通道;所述微反应通道为如权利要求1-9任一项所述的微反应通道。
11.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括:将前驱体注入微反应通道中反应,生成量子点;或者
将前驱体注入微流反应器中反应,生成量子点;所述微流反应器包括依次连通的进样通道、微反应通道和流出通道;
其中,所述微反应通道为如权利要求1-9任一项所述的微反应通道。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,生成的量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种,所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种,所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种,所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种,所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种;所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种,所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111663057.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光源系统和激光投影设备
- 下一篇:一种时序数据周期识别方法、装置及电子设备





