[发明专利]针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法在审

专利信息
申请号: 202111662237.2 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114661229A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 刘松宁 申请(专利权)人: 无锡芯铭微电子有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/0804;G06F12/0873
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 针对 随机 性能 优化 外置 缓存 ssd 映射 算法
【权利要求书】:

1.针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,包括:

当SSD处理一笔新的写入命令请求时,通过哈希算法获得该写入命令的逻辑地址LTA对应查询索引表WLT链表位置;

查询地址缓存表WCT的缓存状态后,插入或更新逻辑地址LTA到地址缓存表WCT;

地址缓存表WCT更新完查询索引表WLT检索链表后,根据逻辑地址LTA,计算缓存刷新索引表UT链表的位置,并更新缓存刷新索引表UT信息;

当地址缓存表WCT满足刷新条件后,将地址缓存表WCT的地址信息刷新到计算机闪存设备NAND中,并释放地址缓存表WCT对应元素。

2.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述地址缓存表WCT用于缓存每一笔写入数据的逻辑地址LTA和对应的闪存物理地址PPA。

3.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述地址缓存表WCT刷新包括:

读取待刷新的地址缓存表WCT锁在缓存刷新索引表UT对应的L2P表项;

将相同的缓存刷新索引表UT对应的地址缓存表WCT逐个刷新到L2P中;

L2P刷新完成后,更新L2P到计算机闪存设备NAND中,并更新缓存刷新索引表UT表项中对应闪存物理地址PPA值;

释放更新完成后的地址缓存表WCT到空闲链表。

4.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述查询索引表WLT用于查询地址缓存表WCT指定逻辑地址LTA的缓存状态,址缓存表WCT中各个有效元素都属于记录在对应的查询索引表WLT中。

5.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述查询索引表WLT的表头元素所在位置通过哈希函数:WLT[index]=hash(LTA)计算获得。

6.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述查询索引表WLT链表数组的更新包括:

写缓存刷新;写入指定逻辑地址LTA;从地址缓存表WCT中检查并获得空表项;根据逻辑地址LTA计算哈希值,作为该笔写入逻辑地址LTA的查询索引表WLT索引序号;将从地址缓存表WCT中检查并获得空表项的序号填入上一步骤中查询索引表WLT对应的索引序列中;

若查询索引表WLT的表头元素为空,则直接填入地址缓存表WCT空表项序号到查询索引表WLT头元素,完成查询索引表WLT更新;

若查询索引表WLT的表头元素不为空,根据查询索引表WLT链表顺序,找到地址缓存表WCT最后一个元素,并将申请的地址缓存表WCT空表项序号更新到链表尾指针srch ptr字段中,完成查询索引表WLT更新。

7.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述缓存刷新索引表UT用于将地址缓存表WCT缓存表中属于相同UT元素集中刷新。

8.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,其表头所在位置的计算公式:UT[index]=LTA[LTA/1000]。

9.根据权利要求1所述的针对随机写性能优化的免外置缓存的SSD映射表算法,其特征在于,所述缓存刷新索引表UT链表数组的更新包括:

新的地址缓存表WCT完成查询索引表WLT链表更新,计算逻辑地址LTA对应的缓存刷新索引表UT表项的索引,根据缓存刷新索引表UT表项中类型位信息判断是否对应缓存刷新索引表UT表项为空;

若缓存刷新索引表UT链表头元素为空,直接填入地址缓存表WCT新表项序号到缓存刷新索引表UT链表头元素,同时将缓存刷新索引表UT表位置闪存物理地址PPA信息更新到对应地址缓存表WCT的UT PPA字段中,缓存刷新索引表UT链表更新完毕;

若缓存刷新索引表UT链表头元素不为空,根据UT链表顺序,更新队列尾元素对应地址缓存表WCT表项的Flush Ptr字段,将新地址缓存表WCT表项序号填入该字段,UT链表更新完毕。

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