[发明专利]具有热增强的三维IC封装

权利要求书

1.一种集成电路内核，包括：

衬底；

温度控制元件，所述温度控制元件形成在所述衬底的第一侧上；以及

多个设备结构，所述多个设备结构形成在所述衬底的第二侧上，其中所述温度控制元件被形成为所述集成电路内核的整体部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路内核，其中，所述第一侧与所述第二侧相对。

3.根据权利要求1所述的集成电路内核，包括：

活化层，所述活化层形成在所述多个设备结构与所述温度控制元件之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路内核，其中，所述温度控制元件包括：

多个通孔，所述多个通孔形成在基底结构中。

5.根据权利要求4所述的集成电路内核，其中，所述多个通孔是具有嵌入在所述基底结构中的端部的盲通孔。

6.根据权利要求4所述的集成电路内核，其中，所述多个通孔是具有形成在所述基底结构的外表面处的两个端部的开放通孔。

7.根据权利要求4所述的集成电路内核，还包括：

散热材料，所述散热材料设置在所述基底结构中的所述多个通孔中。

8.根据权利要求7所述的集成电路内核，其中，所述散热材料包括导电材料、陶瓷材料、金属-陶瓷复合材料、金属合金材料、半导体材料、石墨、金刚石和有机材料中的至少一种。

9.根据权利要求4所述的集成电路内核，其中，所述多个通孔包括：

第一组通孔，所述第一组通孔形成在所述基底结构的边缘部分中、具有第一间距密度；以及

第二组通孔，所述第二组通孔形成在所述基底结构的中央部分中、具有不同于所述第一间距密度的第二间距密度。

10.根据权利要求4所述的集成电路内核，其中，所述基底结构包括硅。

11.根据权利要求1所述的集成电路内核，其中，所述集成电路内核是专用集成电路(ASIC)。

12.一种集成电路封装，包括：

集成电路内核，所述集成电路内核设置在封装衬底上，其中，所述集成电路内核具有设置在所述封装衬底的第一侧上的温度控制元件以及形成在所述封装衬底的第二侧上的多个设备；

一个或多个存储器堆叠，所述一个或多个存储器堆叠与所述集成电路内核相邻形成在所述封装衬底上；以及

热分配设备，所述热分配设备设置在所述集成电路内核上。

13.根据权利要求12所述的集成电路封装，其中，所述温度控制元件具有面向所述热分配设备的上表面以及面向所述封装衬底的所述第一侧的下表面。

14.根据权利要求12所述的集成电路封装，其中，所述温度控制元件包括形成在基底结构中的多个通孔。

15.根据权利要求14所述的集成电路封装，其中，所述温度控制元件包括设置在所述基底结构中的所述多个通孔中的散热材料。

16.根据权利要求15所述的集成电路封装，其中，所述散热材料包括导电材料、陶瓷材料、金属-陶瓷复合材料、金属合金材料、半导体材料、石墨、金刚石和有机材料中的至少一种。

17.根据权利要求14所述的集成电路封装，其中，所述多个通孔包括：

第一组通孔，所述第一组通孔形成在所述基底结构的边缘部分中、具有第一间距密度；以及

第二组通孔，所述第二组通孔形成在所述基底结构的中央部分中、具有不同于所述第一间距密度的第二间距密度。