[发明专利]高效散热型半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202111658541.X | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114336266A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;周寅利;张卓;陈超;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02345 | 分类号： | H01S5/02345;H01S5/024;H01S5/026 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高效 散热 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
1.一种高效散热型半导体激光器，包括衬底，在所述衬底上依次制备形成导电层、下波导结构层、发光层和上波导结构层，在所述上波导结构层上制备形成上电极，在所述导电层上制备形成下电极，其特征在于，在所述衬底内刻蚀形成供制冷液体流动的微通道，在所述衬底的底部键合有将所述制冷液体密封在所述微通道内的键合材料层。
2.如权利要求1所述的高效散热型半导体激光器，其特征在于，所述微通道的排布形式为直通道或弯曲通道。
3.如权利要求2所述的高效散热型半导体激光器，其特征在于，所述弯曲通道的排布形式为回字形通道或S形通道。
4.如权利要求1～3中任一项所述的高效散热型半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在衬底上依次制备形成导电层、下波导结构层、发光层和上波导结构层，并在所述上波导结构层上制备形成上电极，在所述导电层上制备形成下电极；
S2、在所述衬底内刻蚀形成微通道，并在所述衬底的底部键合有将所述微通道密封的键合材料层。
5.如权利要求4所述的高效散热型半导体激光器的制作方法，其特征在于，在所述衬底内刻蚀形成微通道的过程中，包括如下步骤：
S201、在所述衬底的底部涂覆一层光刻胶；
S202、对所述光刻胶进行光刻形成掩模；
S203、利用所述掩模对所述衬底的底部进行光刻形成所述微通道；
S204、去除所述掩模。
6.如权利要求5所述的高效散热型半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述衬底为砷化镓、氮化镓或碳化硅材料。
7.如权利要求5所述的高效散热型半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述键合材料层为碳化硅、硅或金刚石材料。
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