[发明专利]一种发光元件在审
| 申请号： | 202111657521.0 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114361306A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 欧政宜;林志远;纪政孝 | 申请（专利权）人： | 兆劲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 深圳市中科云策知识产权代理有限公司 44862 | 代理人： | 章明美;陈科恒 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光元件，其特征在于，包括：
基底(11)；
穿隧接面层(TJ)，所述穿隧接面层(TJ)设置于所述基底(11)的上方；
下披覆层(13)，所述下披覆层(13)设置于所述穿隧接面层(TJ)的上方；
下局限层(14)，所述下局限层(14)设置于所述下披覆层(13)的上方；
主动层(15)，所述主动层(15)设置于所述下局限层(14)的上方；
上局限层(16)，所述上局限层(16)设置于所述主动层(15)的上方；
上披覆层(17)，所述上披覆层(17)设置于所述上局限层(16)的上方；
窗口层(18)，所述窗口层(18)设置于所述上披覆层(17)的上方。
2.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于，所述窗口层(18)为n型窗口层。
3.根据权利要求2所述的一种发光元件，其特征在于，所述穿隧接面层(T J)包含重掺杂p型层(TJ1)及重掺杂n型层(TJ2)，所述重掺杂p型层(TJ1)毗邻设置于所述重掺杂n型层(TJ2)的上方。
4.根据权利要求3所述的一种发光元件，其特征在于，所述重掺杂n型层(TJ2)设置于所述基底(11)的上方，所述下披覆层(13)毗邻设置于所述重掺杂p型层(TJ1)的上方。
5.根据权利要求4所述的一种发光元件，其特征在于，上电极(19)与所述窗口层(18)形成欧姆接触，所述上电极(19)为n型电极。
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