[发明专利]一种用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构有效
| 申请号: | 202111652837.0 | 申请日: | 2021-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN114325269B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 黄炜昭;王勋江;徐曙;邹俊君;史小强 | 申请(专利权)人: | 深圳供电局有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 孙威 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 超导 电缆 超声波 局部 放电 传感器 结构 | ||
1.一种用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,用于连接超导电缆的中间接头盒,检测局部放电,其特征在于,包括:
外壳,所述外壳包括:外壳本体和连接在所述外壳本体底部的谐振体,所述外壳本体的内部设有绝热空腔;
紧固在所述外壳本体端部的安装法兰盘,所述安装法兰盘围挡在所述外壳本体的端部并在所述外壳本体的内部形成第一装配腔;
与所述第一装配腔相连通的第二装配腔;
紧固在所述安装法兰盘一侧的盖板;
多个分别贯穿所述盖板并伸至所述第一装配腔中的可伸缩探针;
装设在所述第一装配腔中的压电陶瓷片;以及
装设在所述第二装配腔中的信号传导体,其中:所述信号传导体的两端分别连接在所述谐振体和所述压电陶瓷片一侧,所述压电陶瓷片的另一侧与伸入所述第一装配腔中的所述可伸缩探针的端部相抵接。
2.如权利要求1所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述外壳浸泡在液氮中,超导电缆的中间接头盒发生局部放电,所述谐振体将谐振信号通过所述信号传导体传导至所述压电陶瓷片,所述压电陶瓷片产生机械形变。
3.如权利要求2所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述压电陶瓷片形成电压差输出信号并通过所述可伸缩探针被引出。
4.如权利要求3所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,还包括:连接在所述可伸缩探针上的用以读取局部放电信号的示波器。
5.如权利要求1所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述绝热空腔内部抽真空,用以进行绝热。
6.如权利要求1所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述压电陶瓷片包括:压电陶瓷层和分别贴合在所述压电陶瓷层相对两侧的用以引出电压信号的镀银层。
7.如权利要求6所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述镀银层的厚度为0.05mm。
8.如权利要求1所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述盖板通过紧固螺栓紧固在所述安装法兰盘上。
9.如权利要求8所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,所述外壳由304不锈钢材料制成,所述盖板使用聚四氟乙烯材料制成。
10.如权利要求2所述的用于超导电缆的超声波局部放电传感器结构,其特征在于,超导电缆的中间接头盒发生局部放电,产生超声波信号,超声波信号引起所述谐振体发生频率为43kHz的谐振。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳供电局有限公司,未经深圳供电局有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111652837.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据处理方法、终端设备及存储介质
- 下一篇:半导体器件的制备方法及半导体器件





