[发明专利]一种掩模版及光刻机在审
| 申请号： | 202111652270.7 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114326291A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡健;徐阳;周世均;王晓龙;郑海昌;陈力钧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模版 光刻 | ||
1.一种掩模版，其特征在于，包括：曝光区域和环绕在所述曝光区域外围的非曝光区域，所述非曝光区域中设置有多个辅助图案，每个所述辅助图案包括多个间隔排列的条纹图形，其中，每个所述条纹图形的线宽小于光刻机的分辨率极限。
2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述条纹图形的线宽小于所述光刻机的分辨率极限的1/3。
3.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述辅助图案中，相邻的两个条纹图形之间的距离与所述条纹图形的线宽相同。
4.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，每个所述辅助图案中的多个所述条纹图形的延伸方向相同。
5.如权利要求4所述的掩模版，其特征在于，所述条纹图形顺应所述曝光区域的边缘延伸。
6.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述非曝光区域中的至少部分辅助图案沿着所述曝光区域的边缘依次排布。
7.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，还包括：用于防静电的环形图案，位于所述非曝光区域内并环绕在所述曝光区域的外围。
8.如权利要求7所述的掩模版，其特征在于，所述环形图案的线宽小于所述光刻机的分辨率极限。
9.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，多个所述辅助图案中，包括用于指示掩模导向的箭头形图案、用于标示掩模序列的序列图案、用于曝光对位的对准标识图案中的至少其中之一。
10.一种光刻机，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的掩模版。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
