[发明专利]一种适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器

权利要求书

1.一种适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器，其特征在于，包括：上层玻璃芯片、微流道载体硅片、下层玻璃芯片和流体管道接头，所述上层玻璃芯片和下层玻璃芯片对称设置在所述微流道载体硅片的上下两侧，并通过键合方式连接；所述微流道载体硅片上开设有长条孔，所述长条孔的上、下面贴合所述上层玻璃芯片、下层玻璃芯片，配合形成微流道；

所述上层玻璃芯片朝向所述微流道载体硅片的一面设置有多个上层电极，多个上层电极的交汇处设置有与所述长条孔延伸方向一致的上层预期流道，所述微流道载体硅片、下层玻璃芯片上设置相对应的上层电极引出接口，所述上层电极引出接口与多个所述上层电极的输出端相对应，用于引出上层电极；

所述下层玻璃芯片朝向所述微流道载体硅片的一面设置有多个下层电极，多个下层电极的交汇处设置有与所述长条孔延伸方向一致的下层预期流道，所述微流道载体硅片、上层玻璃芯片上设置相对应的下层电极引出接口，所述下层电极引出接口与多个所述下层电极的输出端相对应，用于引出下层电极；

所述下层预期流道与所述上层预期流道相对设置，并伸入所述微流道的中心位置，多个所述上层电极与多个所述下层电极形成双层电极阵列结构，作为传感器的敏感元件；所述上层玻璃芯片上设置有用于安装所述流体管道接头的圆孔，所述圆孔设置有2个，分别设置在所述长条孔的首端和末端，用于安装两个流体管道接头，两个所述流体管道接头分别为进液接头和出液接头。

2.根据权利要求1所述的适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器，其特征在于，所述下层电极沿中心对称设置有8个，中间6个下层电极相对布置，分布于所述下层预期流道两侧，边缘2个下层电极为长电极，贯穿整个下层预期流道；所述上层电极与所述下层电极排布方向垂直，所述上层电极沿中心对称设置有8个，中间6个上层电极相对布置，分布于所述上层预期流道两侧，边缘2个上层电极为长电极，贯穿整个上层预期流道。

3.根据权利要求2所述的适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器，其特征在于，所述双层电极阵列结构用于形成激励测量模式，即一对电极电流激励，一对电极测量电压；其中，电流激励采用的电极对包括相邻电极对和相对电极对，所述相邻电极对指的是上层电极或下层电极中相邻的两个电极，所述相对电极对指的是上层电极或下层电极中上下对应的两个电极；测量电压采用与电流激励完全不同的相邻电极对和相对电极对，完全不同指参与电流激励的电极不参与测量电压。

4.根据权利要求1所述的适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器，其特征在于，所述下层电极引出接口和上层电极引出接口均为矩形孔。

5.根据权利要求1所述的适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器，其特征在于，所述流体管道接头包括下部底座和上部管道接头，所述上部管道接头设置有螺纹，用于连接软管，所述下部底座的中心设置有与所述上部管道接头相连通的小孔，所述小孔与所述微流道相连通，所述微流道的首端和末端分别延伸至对应的流体管道接头的小孔位置。

6.根据权利要求1所述的适用于微通道异质物检测的电阻抗层析成像传感器，其特征在于，所述微流道载体硅片由晶圆加工而成，同一片晶圆上可加工多个微流道载体硅片，通过光刻方式加工出微流道载体硅片形状后，将微流道载体硅片打磨至设定厚度可对微流道厚度进行控制。