[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置在审

专利信息
申请号: 202111646144.0 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114326232A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 吴伟 申请(专利权)人: 广州华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 510700 广东省广州市黄埔区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置;阵列基板包括:基板;数据线和扫描线,数据线和扫描线的数量为多个,数据线和扫描线交叉设置于基板上,相邻两数据线与相邻两扫描线在基板上限定形成像素区域;像素电极,设于像素区域;薄膜晶体管,设于像素区域;薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏极;栅电极设于基板上,栅极绝缘层覆盖于栅电极,半导体层对应栅电极设于栅极绝缘层上,源漏极设于半导体层上;源漏极包括源极和漏极,源极和漏极中的一者与数据线电连接、另一者与像素电极电连接;所述源极与所述漏极之间形成沟道,源极和漏极的材料与像素电极的材料相同。

技术领域

本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)广泛应用于液晶显示装置(LiquidCrystal Display,简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganic Light-Emitting Diode,简称AMOLED)中,因此,薄膜晶体管影响到显示行业的发展。相关技术中,薄膜晶体管中源极与漏极之间的沟道宽度会影响其工作时的开态电流,沟道宽度越小,则开态电流更高,可提高显示面板中像素电极的充电率。但在加工源极和漏极的过程中,源极和漏极本身的导电要求造成沟道无法被有效缩窄,降低了显示面板中像素电极的充电率。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置,以解决现有的显示面板像素电极充电率低的问题。

第一方面,本申请实施例提供一种阵列基板,包括:

基板;

数据线和扫描线,所述数据线和扫描线的数量为多个,所述数据线和扫描线交叉设置于所述基板上,相邻两所述数据线与相邻两所述扫描线在所述基板上限定形成像素区域;

像素电极,设于所述像素区域;

薄膜晶体管,设于所述像素区域;所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏极;所述栅电极设于所述基板上,所述栅极绝缘层覆盖于所述栅电极,所述半导体层对应所述栅电极设于所述栅极绝缘层上,所述源漏极设于所述半导体层上;

所述源漏极包括源极和漏极,所述源极和漏极中的一者与所述数据线电连接、另一者与所述像素电极电连接;所述源极与所述漏极之间形成沟道,所述源极和所述漏极的材料与所述像素电极的材料相同。

可选的,所述数据线的制造材料包括铜、铝中的一种或多种。

可选的,所述源极与所述数据线电连接,所述漏极与所述像素电极一体成型;或,所述漏极与所述数据线电连接,所述源极与所述像素电极一体成型。

可选的,所述源漏极和所述像素电极采用含有铟、锡或锌中的一种或多种的氧化物制成。

可选的,所述源漏极的厚度设置为15nm至150nm。

第二方面,本申请实施例还提供一种显示面板,所述显示面板包括如上述任一项所述的阵列基板。

第三方面,本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括如上述的显示面板。

第四方面,本申请实施例还提供一种阵列基板的制造方法,包括:

提供一基板;

在所述基板上设置相互交错的数据线和扫描线,以使数据线和扫描线限定出像素区域;

在所述像素区域内设置像素电极和薄膜晶体管,并将所述薄膜晶体管的源极或漏极中的一者与所述数据线电连接、另一者与所述像素电极电连接;其中,所述源极和漏极的材料与所述像素电极的材料相同。

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