[发明专利]一种基于断路半导体开关的脉冲发生器在审

专利信息
申请号: 202111645511.5 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114301326A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 王淦平;李春霞;李飞;金晓;宋法伦;吴朝阳;王朋;张北镇;甘延青;龚海涛;罗林 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H02M9/04 分类号: H02M9/04
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 赵丹
地址: 621900 四川省绵阳市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 断路 半导体 开关 脉冲 发生器
【权利要求书】:

1.一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,包括一个LC型泵浦电路和两级DSRD开关堆体,其特征在于:所述LC型泵浦电路中包括有一个直流电源、一个前级开关、两个电容和三个电感,所述直流电源的输入端为电源端V0,所述前级开关为开关K,两个所述电容分别为电容C1和电容C2,三个所述电感分别为电感L1、电感L2和电感L3;

两级所述DSRD开关堆体包括有DSRD1半导体开关和DSRD2半导体开关。

2.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述电源端V0的后端电性连接所述电容C1,所述电容C1的后端电性连接所述电容C2,所述电容C2的后端电性连接所述电感L2,所述电感L2的后端电性连接所述电感L3。

3.根据权利要求2所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述开关K电性连接在所述电容C1的前端,所述电感L1电性连接在所述电容C2的前端,所述DSRD1半导体开关和DSRD2半导体开关分别电性连接在所述电感L3的两端。

4.根据权利要求3所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关的另一端电性连接,所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关均并联连接。

5.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述电感L3的一端电性连接隔直电容Cd,所述隔直电容Cd的一端电性连接有负载电阻R,所述负载电阻R的另一端与所述DSRD2半导体开关的一端电性连接。

6.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述负载电阻R与所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关均并联连接,所述所述负载电阻R与所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关的一端电性接地。

7.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述前级开关在零电流关断条件下,所述开关K的门极不提供关断信号。

8.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关之间通过所述电感L3电性连接,所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关同级同向电性连接,所述DSRD1半导体开关实现高压快脉冲输出,所述DSRD2半导体开关进一步提高输出脉冲电压上升速率。

9.根据权利要求5所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述电源端V0给所述电容C1充电,当所述开关K导通后所述电容C1放电,此时电路系统中形成四条放电回路,四条放电回路分别为C1-K-L1-C1、C1-K-DSRD1-L2-C2-C1、C1-K-DSRD2-L3-L2-C2-C1和C1-K-R-Cd-L3-L2-C2-C1,其中放电回路C1-K-DSRD1-L2-C2-C1和放电回路C1-K-DSRD2-L3-L2-C2-C1分别开启所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关的正向电流注入过程,由于所述DSRD2半导体开关相当于短路,并且所述隔直电容Cd的电容量很小,所以放电回路C1-K-R-Cd-L3-L2-C2-C1的电流较小。

10.根据权利要求9所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述C2充电完成后开始放电,其中放电回路C2-L2-DSRD1-L1-C2和放电回路C2-L2-DSRD1-K-C1-C2开启所述DSRD1半导体开关的反向电流抽取过程,放电回路C2-L2-L3-DSRD2-L1-C2和放电回路C2-L2-L3-DSRD2-K-C1-C2开启所述DSRD2半导体开关的反向电流抽取过程。

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