[发明专利]一种基于断路半导体开关的脉冲发生器在审
申请号: | 202111645511.5 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114301326A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 王淦平;李春霞;李飞;金晓;宋法伦;吴朝阳;王朋;张北镇;甘延青;龚海涛;罗林 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
主分类号: | H02M9/04 | 分类号: | H02M9/04 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 赵丹 |
地址: | 621900 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 断路 半导体 开关 脉冲 发生器 | ||
1.一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,包括一个LC型泵浦电路和两级DSRD开关堆体,其特征在于:所述LC型泵浦电路中包括有一个直流电源、一个前级开关、两个电容和三个电感,所述直流电源的输入端为电源端V0,所述前级开关为开关K,两个所述电容分别为电容C1和电容C2,三个所述电感分别为电感L1、电感L2和电感L3;
两级所述DSRD开关堆体包括有DSRD1半导体开关和DSRD2半导体开关。
2.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述电源端V0的后端电性连接所述电容C1,所述电容C1的后端电性连接所述电容C2,所述电容C2的后端电性连接所述电感L2,所述电感L2的后端电性连接所述电感L3。
3.根据权利要求2所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述开关K电性连接在所述电容C1的前端,所述电感L1电性连接在所述电容C2的前端,所述DSRD1半导体开关和DSRD2半导体开关分别电性连接在所述电感L3的两端。
4.根据权利要求3所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关的另一端电性连接,所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关均并联连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述电感L3的一端电性连接隔直电容Cd,所述隔直电容Cd的一端电性连接有负载电阻R,所述负载电阻R的另一端与所述DSRD2半导体开关的一端电性连接。
6.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述负载电阻R与所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关均并联连接,所述所述负载电阻R与所述开关K、所述电感L1、所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关的一端电性接地。
7.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述前级开关在零电流关断条件下,所述开关K的门极不提供关断信号。
8.根据权利要求1所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关之间通过所述电感L3电性连接,所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关同级同向电性连接,所述DSRD1半导体开关实现高压快脉冲输出,所述DSRD2半导体开关进一步提高输出脉冲电压上升速率。
9.根据权利要求5所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述电源端V0给所述电容C1充电,当所述开关K导通后所述电容C1放电,此时电路系统中形成四条放电回路,四条放电回路分别为C1-K-L1-C1、C1-K-DSRD1-L2-C2-C1、C1-K-DSRD2-L3-L2-C2-C1和C1-K-R-Cd-L3-L2-C2-C1,其中放电回路C1-K-DSRD1-L2-C2-C1和放电回路C1-K-DSRD2-L3-L2-C2-C1分别开启所述DSRD1半导体开关和所述DSRD2半导体开关的正向电流注入过程,由于所述DSRD2半导体开关相当于短路,并且所述隔直电容Cd的电容量很小,所以放电回路C1-K-R-Cd-L3-L2-C2-C1的电流较小。
10.根据权利要求9所述的一种基于断路半导体开关的脉冲发生器,其特征在于:所述C2充电完成后开始放电,其中放电回路C2-L2-DSRD1-L1-C2和放电回路C2-L2-DSRD1-K-C1-C2开启所述DSRD1半导体开关的反向电流抽取过程,放电回路C2-L2-L3-DSRD2-L1-C2和放电回路C2-L2-L3-DSRD2-K-C1-C2开启所述DSRD2半导体开关的反向电流抽取过程。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所,未经中国工程物理研究院应用电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111645511.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。