[发明专利]基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法在审
| 申请号： | 202111645487.5 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114300013A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张新睿;王晓媛;李谱;黎小静 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C16/34;G11C5/14 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周雷雷 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 三值忆阻器 t1m 交叉 阵列 复位 读写 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法，其特征在于：所述交叉阵列中的阵列单元是由一个三值忆阻器Mi串联一个晶体Ti管组成；
所述晶体管的导通电压为4V，记为VDD，三值忆阻器的三个稳定的阻值分别为RL、RM和RH；当忆阻器两端的电压v≥1.2V时，忆阻器的阻值被置为RL；当1V≤v1.2V时，若此时忆阻器阻值为RH则会迅速降至RM，否则会保持原有的状态不变；当-1Vv1V时，忆阻器会继续保持原有的状态；当-1.2Vv≤-1V时，若此时忆阻器的阻值小于RM则会增加到RM，否则不发生变化；当v≤-1.2V时，忆阻器阻值被置为RH；
三值忆阻器的负极都连有一个双向开关，用于选通读电路或写电路；当选通“Write”端时，三值忆阻器将直接与地相连，这时向忆阻器施加适当的电压就可改变忆阻器的阻值；当选通“Read”端时，三值忆阻器会串联一个电阻Ri，施加相应的电压后，通过测量电阻Ri上的分压来判断三值忆阻器的阻值；电压源V1-V4用于向忆阻器施加相应的操作电压，晶体管的导通与否则通过电压源Vdd1-Vdd4控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111645487.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
