[发明专利]一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法在审
| 申请号： | 202111643637.9 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114420535A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘大威;邓信甫;张九勤 | 申请（专利权）人： | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三五 化合物 外延 湿法 制作方法 | ||
1.一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1：形成一牺牲层，于所述牺牲层表面蚀刻形成多条沟槽；
步骤S2：于所述牺牲层上沉积形成一外延层；
所述外延层的材质为所述三五族化合物；
步骤S3：对所述牺牲层进行蚀刻以去除所述牺牲层，以及所述外延层的底部区域；
步骤S4：于所述外延层上形成衬底，以完成一外延片。
2.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，三五族化合物为砷化镓或磷化铟或氮化镓。
3.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：形成所述牺牲层；
步骤S12：于所述牺牲层上沉积形成一掩膜层；
步骤S13：根据所述掩膜层于所述牺牲层上蚀刻出所述沟槽。
4.根据权利要求3所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S13中，采用一湿法蚀刻方法形成所述沟槽；
所述湿法蚀刻方法的蚀刻液包括稀氢氟酸、稀硝酸、稀盐酸双氧水混合液、硫酸双氧水混合液和磷酸中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述掩膜层上设置有掩膜图案，所述掩膜图案为网格状或条纹状。
6.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
步骤S31：翻转并暴露所述牺牲层；
步骤S32：采用湿法蚀刻方法去除所述牺牲层，并去除一预定厚度的所述外延层；
步骤S33：对所述外延层进行化学机械抛光。
7.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
步骤S41：于所述外延层上蚀刻形成微结构；
步骤S42：于所述外延层上沉积形成所述衬底；
步骤S43：翻转所述外延层以完成所述外延片。
8.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述衬底的材质为硅或蓝宝石或氮化镓铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
