[发明专利]上电复位电路、芯片及显示装置在审

专利信息
申请号: 202111642971.2 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114362732A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 赵念;袁政 申请(专利权)人: 北京奕斯伟计算技术有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K17/14
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张筱宁;王存霞
地址: 100176 北京市北京经济技*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 复位 电路 芯片 显示装置
【权利要求书】:

1.一种上电复位电路,其特征在于,包括依次连接的第一控制模块、复位控制模块、输出模块,所述第一控制模块、所述复位控制模块以及所述输出模块分别与电源端连接,且所述复位控制模块的导通状态由所述第一控制模块控制;其中,

所述第一控制模块被配置为当所述电源端的电源电压提升至设定阈值时导通且向复位控制模块发送导通信号;

所述复位控制模块被配置为当接收到所述导通信号时进行导通且根据所述电源电压和所述导通信号生成复位控制信号;

输出模块,被配置为对所述复位控制信号进行翻转以输出上电复位信号。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一控制模块包括第一P型MOS管、稳压器件、第一电阻、第二电阻和第三电阻;

所述第一P型MOS管的源极与所述电源端电连接,所述第一P型MOS管的栅极和漏极均与所述第一电阻的第一端电连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端以及所述复位控制模块电连接,所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端电连接,所述第三电阻的第二端接地;

所述稳压器件分别与所述电源端和所述复位控制模块电连接。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述复位控制模块包括第二P型MOS管和第四电阻;

所述第二P型MOS管的栅极与所述第一电阻的第二端电连接,所述第二MOS管的源极与所述电源端电连接,所述第二MOS管的漏极与所述第四电阻的第一端电连接,所述第四电阻的第二端接地。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,所述输出模块包括施密特触发器、第一反相器和第二反相器;

所述施密特触发器的输入端与所述第一节点电连接,所述施密特触发器的输出端与所述第一反相器的输入端电连接,所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端电连接,所述第二反相器的输出端输出所述复位信号;

所述施密特触发器的上升阈值高于所述第一反相器上升阈值,且所述施密特触发器的下降阈值低于所述第一反相器的下降阈值;所述第一反相器的上升阈值与所述第二反相器的上升阈值相同,所述第一反相器的下降阈值与所述第二反相器的下降阈值相同。

5.根据权利要求4所述的上电复位电路,其特征在于,所述输出模块还被配置为根据所述电源电压和所述复位控制信号生成迟滞控制信号;所述上电复位电路还包括:

第二控制模块,被配置为根据所述迟滞控制信号调整所述上电复位电路的迟滞时间。

6.根据权利要求5所述的上电复位电路,其特征在于,所述第二控制模块包括第一N型MOS管,所述第一N型MOS管的栅极与所述第一反相器的输出端电连接,所述第一N型MOS管的源极接地,所述第三MOS管的漏极与所述第二电阻的第二端电连接,所述第一反相器的输出端的电压即为所述迟滞控制信号。

7.根据权利要求2~6中任一项所述的上电复位电路,其特征在于,所述稳压器件包括稳压电容,所述稳压电容的两端分别与所述电源端和所述复位控制模块电连接。

8.根据权利要求2~6中任一项所述的上电复位电路,其特征在于,所述稳压器件包括第一稳压二极管,所述第一稳压二极管的正极与所述复位控制模块电连接,所述稳压二极管的负极与所述电源端电连接。

9.根据权利要求8所述的上电复位电路,其特征在于,所述复位控制模块还包括第二稳压二极管,所述第二稳压二极管的两端分别与所述第四电阻的第一端和第二端电连接。

10.根据权利要求2~6中任一项所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一控制模块还包括第三P型MOS管,所述第三P型MOS管的栅极和漏极均与所述第一电阻的第一端电连接,所述第三P型MOS管的源极与所述第一P型MOS管的漏极电连接。

11.一种芯片,其特征在于,包括权利要求1~10中任一项所述的上电复位电路。

12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求11所述的芯片。

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