[发明专利]一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法在审
| 申请号： | 202111637650.3 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114335280A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 冯磊;王杰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 刘伊旸;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 uvc led 纳米 图形 蓝宝石 衬底 结构 制作方法 | ||
1.一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：清洁蓝宝石衬底；
步骤S2：在蓝宝石衬底上设置SiO2膜层；
步骤S3：在SiO2膜层上设置光刻胶膜层；
步骤S4：采用周期不超过1000nm的圆形透光掩膜版，通过光刻、显影的方式在SiO2膜层上形成光刻胶环形掩膜；
步骤S5：在SiO2膜层上腐蚀形成凹坑；
步骤S6：在凹坑处继续向下腐蚀，在蓝宝石衬底表面形成倒锥形凹坑；
步骤S7：腐蚀掉蓝宝石衬底表面残余的SiO2膜料；
步骤S8：清洁步骤S7中得到的蓝宝石衬底。
2.根据权利要求1所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中通过气相沉积在蓝宝石衬底镀SiO2膜层。
3.根据权利要求2所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，所述步骤S2中SiO2膜层的厚度为500～1000nm。
4.根据权利要求1所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，所述步骤S3中光刻胶膜层的厚度为500～1000nm。
5.根据权利要求1所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，所述步骤S5和步骤S7中均采用BOE溶液对SiO2进行腐蚀处理。
6.根据权利要求1所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，所述步骤S6中通过等离子轰击在蓝宝石衬底表面形成倒锥形凹坑。
7.根据权利要求1所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，所述步骤S8中采用硫酸与双氧水的混合液对蓝宝石衬底进行清洗。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构的制作方法，所述步骤S4中光刻胶环形掩膜上的通孔为非等径孔，其直径沿刻蚀方向逐渐增大。
9.一种基于权利要求1～8中任意一项所述方法制备得到的纳米级图形化蓝宝石衬底结构，其特征在于，衬底表面设有周期不超过1000nm的倒锥形凹坑微结构。
10.一种如权利要求9所述纳米级图形化蓝宝石衬底结构在UVC-LED产品中的应用。
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