[发明专利]像素暗电流计算方法、装置、像素校正系统及方法在审
| 申请号: | 202111629876.9 | 申请日: | 2021-12-28 | 
| 公开(公告)号: | CN114302077A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 | 
| 发明(设计)人: | 王福;张远 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 
| 主分类号: | H04N5/361 | 分类号: | H04N5/361;H04N5/374 | 
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 | 
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电流 计算方法 装置 校正 系统 方法 | ||
本发明提供了一种像素暗电流计算方法、装置、像素校正系统及方法,所述像素暗电流计算方法,包括获取像素数据,每一行所述像素数据包括两个颜色通道;通过2n个数据通道依次读取所述像素数据,以将每一个颜色通道的像素数据输出为n组分组数据包,n为正整数;按照位置分别对n组所述分组数据包进行滤波采样以得到若干组采样数据包;按照大小对每一组所述采样数据包中的数据进行排序,将排序后位于中间位置的数据作为目标数据,以得到若干组目标数据;对所述目标数据进行累加求和并计算平均值,以得到每一个颜色通道的暗电流。本发明能够对图像传感器的像素数据进行暗电流校正,有效提高了输出的图像质量。
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域,尤其涉及一种像素暗电流计算方法、装置、像素校正系统及方法。
背景技术
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器,也就是CMOS图像传感器,在图像处理中有着广泛的应用。但是由于按照拜耳(bayer)阵列的CMOS图像传感器的电路存在暗电流,导致在没有光线照射的时候,像素单位也有一定的输出电压;在有光照条件下工作时,CMOS图像传感器的有效信号叠加于暗电流之上,表现为明显的暗噪声;暗噪声同暗电流成近似正比例关系,随温度成指数上升关系,表现为热噪声。
而暗电流的存在会对图像产生如下影响:室温正常光照情况下,暗电流过大会使图像发懵,通透性差;低照度情况下,暗电流过大会使画面泛白,对比度下降;高温情况下,暗电流过大会使画面泛白,热噪严重,清晰度下降,画面非常朦胧及不干净;极高温情况下,暗电流幅度超过信号幅度并达到ADC输出满幅值,有效信号将无法输出,画面全白或者全黑;暗电流校正过度情况下,画面偏暗。
另外,还要考虑到遮光像素和有效像素的暗电流水平可能存在一定的差异,因此需要对CMOS图像传感器中的暗电平进行校正。
因此,有必要提供一种新型的像素暗电流计算方法、装置、像素校正系统及方法以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素暗电流计算方法、装置、像素校正系统及方法,能够对图像传感器的像素数据进行暗电流校正,有效提高了输出的图像质量。
为实现上述目的,本发明的所述一种像素暗电流计算方法,包括:
获取像素数据,每一行所述像素数据包括两个颜色通道;
通过2n个数据通道依次读取所述像素数据,以将每一个所述颜色通道的像素数据输出为n组分组数据包,n为正整数;
按照位置分别对n组所述分组数据包进行滤波采样以得到若干组采样数据包;
按照大小对每一组所述采样数据包中的数据进行排序,将排序后位于中间位置的数据作为目标数据,以得到若干组目标数据;
对所述目标数据进行累加求和并计算平均值,以得到每一个所述颜色通道的暗电流。
本发明所述像素暗电流的计算方法的有益效果在于:在获取到像素数据之后,由于每一行像素包括两个颜色通道,通过2n个数据通道依次读取像素数据之后,将每一个颜色通道的像素数据输出为n组分组数据包,以便于之后对n组分组数据包进行滤波采样得到若干组采样数据包,并对每一组采样数据包进排序后选择位于中间位置的数据作为目标数据,以得到若干组目标数据,之后对目标数据进行累加求和计算平均值,从而就可以得到各个颜色通道的暗电流计算过程,以便于后续对像素数据中的暗电流进行处理。
可选的,所述按照位置分别对n组所述分组数据包进行滤波采样以得到若干组采样数据,包括:
将每一组所述分组数据包中的数据位置对齐后排列在一起;
通过滤波框按照位置顺序分别选择每个所述分组数据包中的第i个至第m+i-1个数据共同作为采样数据以得到若干组所述采样数据包;
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