[发明专利]一种高数据率的毫米波超再生接收机

权利要求书

1.一种高数据率的毫米波超再生接收机，包括依次电性连接的低噪声放大器、超再生振荡器、IQ双路混频器和两并行中频放大器，还包括用于对所述IQ双路混频器提供正交本振信号的正交耦合器；

其特征在于，

所述低噪声放大器输入端连接射频输入信号；

所述超再生振荡器采用交叉耦合振荡结构，且在谐振腔处并联对称MOS管开关，所述对称MOS管开关由淬灭信号控制；

所述淬灭信号与输入的射频信号码元频率相同。

2.根据权利要求1所述一种高数据率的毫米波超再生接收机，其特征在于，所述交叉耦合振荡结构的两相输出端分别通过调谐电容外接第一调谐电压。

3.根据权利要求2所述一种高数据率的毫米波超再生接收机，其特征在于，调谐电容为可变电容。

4.根据权利要求1所述一种高数据率的毫米波超再生接收机，其特征在于，所述低噪声放大器与所述超再生振荡器共用一淬灭信号。

5.根据权利要求1所述一种高数据率的毫米波超再生接收机，其特征在于，所述低噪声放大器包括四NMOS管、一电容、三电感和一输入巴伦；

第十一电容的一极板为信号输入端，另一极板分别通过第三电感外接第二偏置电压和通过第四电感连接第八NMOS管的栅极；

VDD依次通过第一变压器的输入级、第七NMOS管、第八NMOS管和第五电感后接地，第七NMOS管的栅极连接VDD；

第一变压器的输出级一端为正相输出端，另一端为反相输出端，输出级还外接第一偏置电压；

第二十二NMOS管的漏极与第九NMOS管的源极共点后连接同相输出端，第二十二NMOS管的源极与第九NMOS管的漏极共点后连接反相输出端，第二十二NMOS管的栅极与第九NMOS管的栅极共点后连接所述淬灭信号。

6.根据权利要求1所述一种高数据率的毫米波超再生接收机，其特征在于，所述超再生振荡器包括六NMOS管、两电容、两电感和两PMOS管；

第二NMOS管的栅极为同相输入端，第六NMOS管的栅极为反相输入端；

第三NMOS管的漏极为同相输出端，第四NMOS管的漏极为反相输出端；

第一NMOS管的源极连接第二NMOS管漏极，漏极连接同相输出端，栅极连接VDD；

第二NMOS管的源极接地；

第三NMOS管的源极接地、漏极经过第一电感连接VDD、栅极连接反相输出端；

第四NMOS管的源极接地、漏极经过第二电感连接VDD、栅极连接同相输出端；

第五NMOS管的源极连接第六NMOS管漏极，漏极连接反相输出端，栅极连接VDD；

第六NMOS管的源极接地；

第一PMOS管的源极和第二PMOS管的漏极共点后连接反相输出端，第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的源极共点后连接同相输出端，栅极共点后连接所述淬灭信号；

同相输出端经过第一电容外接第一调谐电压，反相输出端经过第二电容外接第一调谐电压。