[发明专利]原子层沉积方法及设备

权利要求书

1.一种原子层沉积方法，包括：

向沉积腔室中提供前驱体气体，所述沉积腔室中设置有放置待处理晶圆的承载平台；

向所述沉积腔室中提供微波，以加热所述前驱体气体；

持续反应预定时间后，获得目标薄膜，

其中，所述微波和所述前驱体气体通过一个喷头导入所述沉积室。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其中，

所述待处理晶圆为三维存储器晶圆，所述目标薄膜为氮化钛薄膜，所述氮化钛薄膜至少沉积在所述三维存储器晶圆的栅孔的底层的绝缘氧化层上。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积方法，其中，

所述前驱体气体包括氯化钛和氨气。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其中，

所述喷头包括多个喷出口，所述多个喷出口的覆盖面积与所述待处理晶圆的尺寸相匹配。

5.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其中，

通过至少一个微波发生器提供微波，并通过微波导管将所述至少一个微波发生器提供的微波导入所述喷头。

6.根据权利要求5所述的原子层沉积方法，其中，

所述微波导管包括多个微波导出端口，所述多个微波导出端口连接至所述喷头的位置在所述喷头上均匀分布。

7.一种原子层沉积设备，包括：

沉积室，设置有承载平台，所述承载平台用于放置待处理晶圆；

前驱体气体导管，导入所述沉积室，用于向所述沉积室内提供前驱体气体；

微波发生器，用于提供微波，并通过微波导管向所述沉积室提供微波加热所述前驱体气体；

喷头，所述前驱体气体和所述微波均导入所述喷头，并通过所述喷头导入所述沉积室。

8.根据权利要求7所述的原子层沉积设备，其中，

所述微波发生器包括多个。

9.根据权利要求7所述的原子层沉积设备，其中，

所述喷头包括多个喷出口，所述多个喷出口的覆盖面积与所述待处理晶圆的尺寸相匹配。

10.根据权利要求7所述的原子层沉积设备，其中，

所述微波导管包括多个微波导出端口，所述多个微波导出端口连接至所述喷头的位置在所述喷头上均匀分布。