[发明专利]一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202111622528.9 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114464687A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 杭州信与义专利代理有限公司 33450 | 代理人： | 马育妙 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 局部 双面 钝化 接触 结构 电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，包括n型硅基底（1），其特征在于：所述n型硅基底（1）的正背面均设有一层层（2），且所述n型硅基底（1）的正面自下而上依次设置有层（2）、p型掺杂多晶硅层（3）、功能层以及正面电极（5），所述n型硅基底（1）的背面自上而下依次设置有层（2）、n型掺杂多晶硅层（7）、TCO层（8）以及背面电极（9）；其中，所述功能层包括层（4），所述层（4）上端面镂空设置有TCO沉积层（6），所述正面电极（5）设于所述TCO沉积层（6）上。
2.如权利要求1所述的一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，其特征在于：所述TCO层（8）的厚度为20nm-30nm。
3.如权利要求1或2所述的一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，其特征在于：所述层（6）的厚度为0.3-3nm，所述n型掺杂多晶硅层（7）的厚度为15-300nm。
4.如权利要求3所述的一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，其特征在于：所述层（4）的厚度为20nm-30nm，所述p型掺杂多晶硅层（3）的厚度为15-300nm。
5.一种制备如权利要求1-4所述的局部双面隧穿钝化接触结构电池的方法，其特征在于：包括如下步骤： S1、提供n型硅基底（1），对所述n型硅基底（1）清洗后制绒； S2、采用LPCVD直接进行双面隧穿； S3、本征多晶硅制备； S4、离子注入分别制备正面p型掺杂多晶硅层（3）以及背面n型掺杂多晶硅层（7）； S5、功能层制备； S6、n型硅基底（1）背面整面TCO沉积，制备TCO层（8）； S7、采用丝网印刷生成正面电极（6）以及背面电极（9）。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：S1包括：对n型硅基底（1）制绒形成金字塔状陷光结构。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：S5包括： S50、先用掩膜露出层需要制备的区域进行膜层制备； S51、再利用掩膜遮挡住已沉积层区域，随后进行局部TCO的沉积。
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