[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

第一电极，与所述第一半导体层电连接；

第二电极，与所述第二半导体层电连接；以及

预切割道，位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道为从所述外延层表面向所述衬底方向延伸的环形凹槽。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道至少贯穿所述外延层。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道从所述外延层表面向所述衬底方向延伸，底部延伸至所述衬底中。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道的深度为15μm～20μm。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道临近所述LED芯片的外侧壁的侧壁与所述LED芯片的外侧壁之间的距离大于等于零。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道的中心与所述LED芯片的外侧壁的距离为1μm～3μm。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道沿所述LED芯片厚度方向的截面形状为矩形或梯形。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预切割道的顶部的宽度为2μm～3μm，底部的宽度为0～1μm。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极位于所述衬底的第二表面，所述第二电极位于所述外延层上。

11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括钝化层，位于所述外延层上，所述第一电极和所述第二电极位于所述钝化层上，所述第一电极和所述第二电极分隔设置。

12.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为Micro LED芯片或MiniLED芯片。

13.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底的第一表面形成外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

形成与所述第一半导体层电连接的第一电极；

形成与所述第二半导体层电连接的第二电极；

在外延层中形成预切割道；以及

在切割道中切割以分离所述LED芯片；

其中，所述预切割道位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。

14.根据权利要求13所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，在外延层中形成预切割道的方法包括：

在所述外延层上形成光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，以形成刻蚀所述预切割道的窗口；

经由图案化的所述光刻胶层刻蚀所述外延层，以形成所述预切割道；

去除所述光刻胶层。

15.根据权利要求14所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，采用物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学性刻蚀中的一种或几种方法刻蚀所述外延层，以形成所述预切割道。

16.根据权利要求15所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，物理化学性刻蚀方法采用的化学刻蚀气体包括SiCl₄、Cl₂、BCl₃中至少一种，采用的物理溅射气体包括Ar和O₂中至少一种。