[发明专利]微型LED芯片制备方法、微型LED芯片以及显示装置

权利要求书

1.一种微型LED芯片制备方法，其中，所述方法包括：

提供微型LED外延片，并在所述微型LED外延片上蚀刻出台面结构；

在所述台面结构上设置导电金属层作为电极层，使得在所述电极层的第一预设区域中形成孤岛结构，所述孤岛结构包括孤岛主体和连接部，所述孤岛主体与所述电极层隔开且通过所述连接部连接，所述孤岛结构还包括将所述孤岛主体与所述电极层隔开的镂空部，所述镂空部贯穿所述电极层；

在所述孤岛结构和所述电极层上设置钝化层，并在所述钝化层的第二预设区域中形成多个接触孔，使得所述多个接触孔中的至少部分接触孔暴露出的部分包括所述孤岛主体的至少一部分且不包括与所述孤岛主体连接的电极层；

在所述多个接触孔暴露出的部分上设置金属凸点。

2.根据权利要求1所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述台面结构为共阴结构并且包括阴极对应部分和多个阳极对应部分。

3.根据权利要求2所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述电极层包括阴极层和阳极层，所述在所述台面结构上设置导电金属层作为电极层，使得在所述电极层的第一预设区域中形成孤岛结构包括：

在所述阳极对应部分上设置电流扩散层；

在所述电流扩散层和所述阴极对应部分上设置导电金属层作为电极层，使得在所述电极层的第一预设区域中形成孤岛结构，所述电流扩散层上的导电金属层作为所述阳极层，所述阴极对应部分上的导电金属层作为所述阴极层。

4.根据权利要求3所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述第一预设区域属于所述阴极层。

5.根据权利要求4所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述第二预设区域属于与所述阴极层和所述阳极层相对应的钝化层，与所述阴极层相对应的钝化层中的接触孔暴露出的部分包括所述孤岛主体的至少一部分且不包括与所述孤岛主体连接的电极层，与所述阳极层相对应的钝化层中的接触孔暴露出的部分包括所述阳极层的一部分。

6.根据权利要求3所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述第一预设区域属于所述阴极层和所述阳极层。

7.根据权利要求6所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述第二预设区域属于与所述阴极层和所述阳极层相对应的钝化层，与所述阴极层和所述阳极层相对应的钝化层中的接触孔暴露出的部分包括所述孤岛主体的至少一部分且不包括与所述孤岛主体连接的电极层。

8.根据权利要求1所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述在所述多个接触孔暴露出的部分上设置金属凸点包括：

在所述接触孔暴露出的部分上设置凸点下金属化层；

在所述凸点下金属化层上设置金属柱；

使金属柱回流形成所述金属凸点。

9.根据权利要求1所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述金属凸点的材料包括铟。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述孤岛结构在与所述电极层表面平行的截面上的形状包括正方形，所述孤岛主体在所述截面上的形状包括正方形，所述连接部将截面为正方形的所述孤岛主体的四个角与所述电极层连接，并且所述镂空部在所述截面上的形状包括梯形形状。

11.根据权利要求10所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述接触孔在与所述电极层表面平行的截面上的形状为圆形或正方形，所述接触孔的尺寸大于所述孤岛主体的尺寸并且小于所述孤岛结构的尺寸，使得所述接触孔暴露出所述孤岛主体和所述连接部的一部分且未暴露出与所述孤岛主体连接的电极层。

12.根据权利要求2所述的微型LED芯片制备方法，其中，所述微型LED外延片自下而上依次包括衬底、缓冲层、第一半导体层、多层量子阱结构和第二半导体层。