[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

碳化硅层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面，该碳化硅层包含：

第一导电型的第一碳化硅区域，包含与所述第一面相接的第一区域；

第二导电型的第二碳化硅区域，设置于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间，包含与所述第一面相接的第二区域；

第二导电型的第三碳化硅区域，设置于所述第二碳化硅区域与所述第一面之间，第二导电型杂质浓度高于所述第二碳化硅区域的第二导电型杂质浓度；

第一导电型的第四碳化硅区域，设置于所述第三碳化硅区域与所述第一面之间，与所述第一面相接；和

第一导电型的第五碳化硅区域，设置于所述第三碳化硅区域与所述第一面之间，与所述第一面相接，相对于所述第四碳化硅区域被设置于与所述第一面平行的第一方向上；

栅极电极，设置于所述碳化硅层的所述第一面侧，与所述第一区域及所述第二区域对置；

栅极绝缘层，设置于所述第一区域与所述栅极电极之间、以及所述第二区域与所述栅极电极之间；

第一电极，设置于所述碳化硅层的所述第一面侧，包含有在所述第一方向上位于所述第四碳化硅区域与所述第五碳化硅区域之间的第一部分；

第二电极，设置于所述碳化硅层的所述第二面侧；以及

金属硅化物层，设置于所述第一部分与所述第三碳化硅区域之间，在从所述第一面朝向所述第二面的所述第二方向上与所述第三碳化硅区域相接，在所述第一方向上设置于所述第一部分与所述第四碳化硅区域之间，与所述第四碳化硅区域相接，在所述第一方向上设置于所述第一部分与所述第五碳化硅区域之间，与所述第五碳化硅区域相接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述碳化硅层还包含第一导电型的第六碳化硅区域，该第一导电型的第六碳化硅区域在所述第二方向上设置于所述第二碳化硅区域与所述第一面之间，在所述第一方向上设置于所述第二区域与所述第四碳化硅区域之间，与所述第一面相接，与所述栅极电极对置，且第一导电型杂质浓度比所述第四碳化硅区域的第一导电型杂质浓度低。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

从所述第一面到所述第六碳化硅区域与所述第二碳化硅区域的界面为止的所述第二方向上的第一距离，比从所述第一面到所述第四碳化硅区域与所述第三碳化硅区域的界面为止的所述第二方向上的第二距离长。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

从所述第一面到所述金属硅化物层与所述第三碳化硅区域的界面为止的所述第二方向的第三距离，比所述第一距离短，且比所述第二距离长。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

从所述第一面到所述金属硅化物层与所述第三碳化硅区域的界面为止的所述第二方向的第三距离为200nm以上。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一部分与所述第三碳化硅区域之间的所述金属硅化物层的所述第二方向的厚度为30nm以上且90nm以下。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一部分与所述第三碳化硅区域之间的所述金属硅化物层的所述第二方向的厚度，比所述第一部分与所述第四碳化硅区域之间的所述金属硅化物层的所述第一方向的厚度厚。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述金属硅化物层的所述第二方向上，所述第三碳化硅区域之中的第二导电型杂质浓度为最大的位置和所述金属硅化物层与所述第三碳化硅区域的界面之间的所述第二方向的距离为50nm以下。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第四碳化硅区域与所述金属硅化物层的界面相对于所述第二方向倾斜。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述金属硅化物层是镍硅化物层，所述第一电极包含铝(Al)。