[发明专利]一种硼杂或磷杂稠环化合物及其制法和发光器件

权利要求书

1.一种硼杂或磷杂稠环化合物，其特征在于，具有式(I)～式(IV)任意一种所示结构：

其中，X₁和X₂独立地选自B、P＝O或P＝S；Y₁和Y₂独立地选自N(R¹)、O、S、Se、Te、B(R¹)、C(R¹R²)或Si(R¹R²)；

Ar₁～Ar₆独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基环、或取代或未取代的C3～C60的杂芳基环；且Ar₃与Ar₄之间、以及Ar₅与Ar₆之间通过共用至少一个碳原子形成稠合结构；所述取代为D、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-CF₃、C1～C30的直链烃基、C1～C30的支链烃基、C3～C30的环烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的芳醚基、C3～C60的杂芳基或取代或未取代的C3～C60的杂芳醚基所取代；其中杂芳香基团的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S或Se；

R₁和R₂独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、-CN、-CF₃、-NO₂、-O-R¹、-S-R¹、-Se-R¹、-Te-R¹、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的C1～C30的卤代烷烃基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳香基团、或取代或未取代的C5～C60的杂芳香基团；

R¹～R³独立地选自H、D、C1～C30的直链烃基、C1～C30的支链烃基、C3～C30的环烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的芳醚基、取代或未取代的C5～C60的杂芳基或取代或未取代的C5～C60的杂芳醚基；其中杂芳香基团的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S或Se；且R¹、R²和R³两两之间、R¹与Ar₁～Ar₆任意取代基团之间还能够通过单键、-C(R^aR^b)-、-(C＝O)-、-Si(R^aR^b)-、-N(R^a)-、-PO(R^a)-、-O-、-S-和-Se-中的任意一种进行连接；所述R^a和R^b独立地为C1～C30的直链烃基、C1～C30的支链烃基、C3～C30的环烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的芳醚基、取代或未取代的C5～C60的杂芳基或取代或未取代的C5～C60的杂芳醚基。

2.根据权利要求1所述的硼杂或磷杂稠环化合物，其特征在于，所述X₁和X₂均为B。

3.根据权利要求1所述的硼杂或磷杂稠环化合物，其特征在于，所述Y₁和Y₂独立地选自N(R¹)、O、S、Se或Te。

4.根据权利要求1所述的硼杂或磷杂稠环化合物，其特征在于，所述X₁和X₂均为B，且所述Y₁和Y₂独立地选自N(R¹)、O、S、Se或Te。