[发明专利]一种三维光子桥接路径的设计方法在审
申请号: | 202111610984.1 | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN114282490A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 史强;赵臻青;孙春;朱林伟 | 申请(专利权)人: | 烟台魔技纳米科技有限公司;华为技术有限公司 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F30/392;G06F115/02 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 李舜江 |
地址: | 264010 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 光子 路径 设计 方法 | ||
1.一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:根据芯片上的标识,确定待加工光波导的起始点和终止点;
S2:在起始点和终止点周边各取1个待测量点,确定4个待测量点;
S3:确定每个测量点的三维坐标;
S4:根据测量点的三维坐标确定待加工光波导的传输轨迹;
S5:将待加工光波导的三维传输轨迹等间距分成N个节点;
S6:根据待连接芯片端口的尺寸,规划待加工光波导的xy截面上的加工路径;
S7:将xy截面路径映射到三维传输轨迹等间距的N个节点,确定待加工三维光波导数据结构;
S8:根据待加工光波导的三维数据,进行切片处理。
2.根据权利要求1所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S1中,待加工光波导的起始点和终止点的横向位置坐标位于芯片的上表面,且横向位置远离芯片的边缘端口。
3.根据权利要求2所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S2中,起始点周边取的待测量点,位于起始点和起始点所处芯片端口之间;终止点周边取的待测量点,位于终止点和终止点所处芯片端口之间。
4.根据权利要求3所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,每个测量点的三维坐标统一以加工平台的三维坐标为准。
5.根据权利要求4所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S4中,待加工光波导的传输轨迹由以下条件所限:
轨迹端面对齐待连接芯片光波导的两端;
起始和终止方向与需要连接的芯片中的光波导方向一致。
6.根据权利要求5所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S5中,等间距分成N个节点的相邻两点之间的距离需小于加工的最小线宽。
7.根据权利要求6所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S6中,根据待连接芯片端口的尺寸,规划待加工光波导的xy截面上的加工路径,具体包括:
根据待连接芯片端口的尺寸形状,以之字形填充xy截面;
根据待连接芯片端口的尺寸形状,以螺旋式填充xy截面。
8.根据权利要求7所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S6中,xy截面的法线方向与三维传输轨迹在节点处的切线方向相同。
9.根据权利要求8所述的一种三维光子桥接路径的设计方法,其特征在于,步骤S8中,切片处理包括:沿待加工光波导的相同层高切片;或沿N个节点xy截面切片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台魔技纳米科技有限公司;华为技术有限公司,未经烟台魔技纳米科技有限公司;华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111610984.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。