[发明专利]堆外探测器校刻方法、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.一种堆外探测器校刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：通过模拟中子从堆内输运到堆外探测器的过程，获得堆内各位置的探测器响应因子；

S2：模拟构造理论氙振荡过程，获得所述氙振荡过程中的堆内各位置的裂变中子产生率；

S3：根据所述探测器响应因子和裂变中子产生率，得到所述氙振荡过程中各所述堆外探测器的响应电流分布；

S4：使用所述电流分布计算得到校刻系数。

2.根据权利要求1所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，在所述步骤S1中；通过蒙特卡罗程序模拟中子从堆内输运到堆外探测器上的过程。

3.根据权利要求2所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，在所述步骤S1中，堆芯内(x，y，z)位置处的中子在探测器i上的响应为：

R_i(x,y,z)＝W_i(x,y,z)νΣ_fΦ(x,y,z) 式子(1)

其中，W_i(x,y,z)为所述(x，y，z)位置在探测器i上的响应因子，Φ(x,y,z)是(x，y，z)位置的中子注量率，Σ_f是裂变截面，ν是每次裂变产生的平均中子数。

4.根据权利要求3所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，在所述步骤S2中，通过堆芯核设计程序模拟构造所述理论氙振荡过程，获得所述堆芯内各位置处的每次裂变产生的平均中子数、裂变截面和中子通量，三者相乘直接计算得到所述裂变中子产生率，为所述式(1)中的νΣ_fΦ(x,y,z)。

5.根据权利要求4所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，在所述步骤S3中，将所述裂变中子产生率结合所述式子(1)，得到堆外探测器的响应分布R_i,n，其中，i指的是探测器在轴向上的序号，i的取值范围是1～6；n指的是氙振荡过程中的状态点序号，n的取值范围是1～8；

所述堆外探测器的响应分布R_i,n即为所述电流分布I_i，n。

6.根据权利要求5所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，在所述步骤S2中，还获得轴向功率分布P_i，n以及轴向功率偏移AO_in，n，其中i＝1～6，n＝1～8。

7.根据权利要求6所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，根据所述轴向功率分布P_i，n以及所述电流分布I_i，n得到传输矩阵[T]。

8.根据权利要求7所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，所述传输矩阵[T]通过求解的最小值得到，其中X_i,l通过下式计算得到：

[X]＝[T]^-1[COR]^-1[P]

式子中，[T]是6*6的中子输运矩阵，[COR]是6*6控制棒棒位修正矩阵，[P]是8*6的堆芯轴向功率分布矩阵。

9.根据权利要求8所述的堆外探测器校刻方法，其特征在于，该方法还包括：

进行一次全堆芯通量图实验，获得所述探测器的实测电流分布I_i、实测轴向功率分布P_i；

根据所述实测电流分布I_i、实测轴向功率分布P_i以及传输矩阵[T]，计算得到灵敏度矩阵[S]，计算公式如下：

[P]＝[COR][T][S][I]

其中，[P]是1×6的堆内实测轴向功率分布矩阵，[COR]是6×6的控制棒棒位修正矩阵，[I]是1×6的堆外实测探测器电流分布矩阵。