[发明专利]一种快速响应的高速线性稳压器有效
申请号: | 202111606908.3 | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN113970949B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 杨国江;王海波 | 申请(专利权)人: | 江苏长晶科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 210000 江苏省南京市中国(江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 响应 高速 线性 稳压器 | ||
1.一种快速响应的高速线性稳压器,其特征在于,包括PMOS管P1、P2、P3、P4和Ppower,NMOS管N1、N2、N3、N4和Nc,电阻R1、R2、Rfb1、Rfb2和Rload以及电容Cc1和电容Cout;
PMOS管P1的栅极连接偏置和基准模块的输出的偏置电压BIAS,PMOS管P1的漏极与PMOS管P2的漏极互连并连接PMOS管P3的源极和衬底以及PMOS管P4的源极和衬底,PMOS管P3的栅极连接偏置和基准模块输出的基准电压Vref,PMOS管P3的漏极连接NMOS管N1的漏极和栅极以及NMOS管N2的栅极,NMOS管N1的源极和衬底与NMOS管N2的源极和衬底、NMOS管Nc的源极和衬底、NMOS管N3的源极和衬底以及NMOS管N4的源极和衬底连接在一起并接地,NMOS管N2的漏极连接PMOS管P4的漏极和电容Cc1的一端NMOS管Nc的栅极以及NMOS管N3的栅极和NMOS管N4的栅极,电容Cc1的另一端连接NMOS管Nc的漏极,NMOS管N3的漏极连接NMOS管N5的栅极和电阻R2的一端,NMOS管N4的漏极连接NMOS管N5的源极和衬底以及PMOS管P2的栅极、电阻R1的一端和PMOS管Ppower的栅极,PMOS管Ppower的源极和衬底与电阻R1的另一端和NMOS管N5的漏极、电阻R2的另一端、PMOS管P1的源极和衬底以及PMOS管P2的源极和衬底连接在一起并连接电源电压VIN,PMOS管Ppower的漏极连接电阻Rfb1的一端、电容Cout的一端和电阻Rload的一端并输出电压Vout,电阻Rfb1的另一端与电阻Rfb2的一端连接,电阻Rfb1与电阻Rfb2的连接端产生的反馈电压fb连接PMOS管P4的栅极,电阻Rfb2的另一端以及电容Cout的另一端和电阻Rload的另一端均接地。
2.根据权利要求1所述的快速响应的高速线性稳压器,其特征在于,所述PMOS管P1与PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N1和NMOS管N2构成第一级运算放大器,NMOS管N3与NMOS管N4、NMOS管N5、电阻R2和电阻R1构成第二级运算放大器,NMOS管Nc和电容Cc1构成动态补偿电路,第一和第二两级运算放大器、PMOS管Ppower以及电阻Rfb1和Rfb2构成反馈网络,通过电阻Rfb1与电阻Rfb2连接点产生的反馈电压fb与基准电压Vref进行比较,控制PMOS管Ppower产生稳定的输出电压Vout,Vout=Vref*(Rfb1+Rfb2)/Rfb2。
3.根据权利要求1所述的快速响应的高速线性稳压器,其特征在于,所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4和PMOS管Ppower均为增强PMOS管,其中PMOS管Ppower为高速线性稳压器的输出功率管。
4.根据权利要求1所述的快速响应的高速线性稳压器,其特征在于,所述NMOS管N1、NMOS管N2、 NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5和NMOS管Nc均为增强NMOS管。
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