[发明专利]一种致密六方氮化硼陶瓷材料的制备方法在审
申请号: | 202111600690.0 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114195538A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 曾宇平;尹金伟;夏咏锋;姚冬旭;梁汉琴 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/5831;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 致密 氮化 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种致密六方氮化硼陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括:
(1)将六方氮化硼粉体、Y源、Si源、β-Si3N4晶须进行混合,得到原料粉体;所述Si源为正硅酸乙酯、或SiO2粉和正硅酸乙酯;所述Y源为六水合硝酸钇、或六水合硝酸钇和Y2O3粉体;
(2)将原料粉体经过预烧结和热压烧结,得到所述致密六方氮化硼陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,以原料粉体总质量计为100wt%,当Si源为正硅酸乙酯时,所述正硅酸乙酯含量不超过5wt%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,以原料粉体总质量计为100wt%,当Si源为SiO2粉和正硅酸乙酯时,所述SiO2和正硅酸乙酯的总质量为原料粉体总质量的1~12.5wt%且正硅酸乙酯含量不超过5wt%;优选地,所述SiO2粉的含量为5~8wt%,正硅酸乙酯含量为2~4wt%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法,其特征在于,以原料粉体总质量计为100wt%,β-Si3N4晶须的含量为1~10wt%。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于,以原料粉体总质量计为100wt%,Y源的含量为2~30wt%;优选地,所述Y2O3粉体的含量为10~15wt%,Y(NO3)3·6H2O的含量为5~8wt%。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,以原料粉体总质量计为100wt%,h-BN粉体的含量为60~95wt%。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法,其特征在于,将h-BN粉体和正硅酸乙酯、Y2O3粉体、SiO2粉体、β-Si3N4晶须和无水乙醇进行一次球磨混合后烘干过筛,再加入Y(NO3)3·6H2O并以去离子水为溶剂进行二次球磨混合,得到原料粉体;
优选地,所述一次球磨混合的转速200~500转/分钟,时间为1~3小时;
优选地,所述二次球磨混合的转速200~500转/分钟,时间为1~5小时。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述预烧结的环境为真空,温度为600~900℃,时间为1~3小时。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述热压烧结的气氛为氮气气氛或氩气气氛,热压压力为5~50MPa,温度为1650~1950℃,时间为1~4小时。
10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备的致密六方氮化硼陶瓷材料,其特征在于,所述致密六方氮化硼陶瓷材料主要由h-BN基体相、Y-Si-O晶界相和β-Si3N4晶须增强相组成;所述致密六方氮化硼陶瓷材料的致密度为74~95%,强度为20~188MPa。
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