[发明专利]一种厚光刻胶清洗液在审
申请号: | 202111598182.3 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN116339083A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 程章;刘兵;彭洪修;赵文才 | 申请(专利权)人: | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人: | 李佳铭;王芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 清洗 | ||
1.一种厚光刻胶清洗液,其特征在于,包括:
季铵氢氧化物,有机溶剂,第一腐蚀抑制剂,第二腐蚀抑制剂和去离子水;
其中,所述有机溶剂包含第一有机溶剂和第二有机溶剂;
所述第一腐蚀抑制剂为多元醇类化合物;
所述第二腐蚀抑制剂为含巯基的芳香化合物。
2.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵和羟乙基三甲基氢氧化铵等中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述季铵氢氧化物的质量百分比含量为0.5%~10%。
4.如权利要求3所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述季铵氢氧化物的质量百分比含量为1%~6%。
5.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第一有机溶剂为二甲基亚砜。
6.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第一有机溶剂质量百分比含量为49%~99%。
7.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第二有机溶剂选自1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-羟乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚中、乙二醇苯醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、丙二醇苯醚、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、甘油、四氢糠醇、苯甲醇中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第二有机溶剂的质量百分比含量为0.1%~20%。
9.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第一腐蚀抑制剂选自季戊四醇、双季戊四醇、赤藓糖醇、苏糖醇、木糖醇、阿拉伯糖醋、山梨糖醇、甘露醇、塔罗糖醇、艾杜糖醇、麦芽糖醇、乳糖醇、肌醇中的一种或多种。
10.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第一腐蚀抑制剂的质量百分比含量为0.05%~10%。
11.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第二腐蚀抑制剂选自甲巯咪唑、2-巯基咪唑、2-巯基苯并咪唑、5-氨基-2-巯基苯并咪唑、邻甲苯硫酚、对甲基苯硫酚、硫代水杨酸、对羟基苯硫酚、三聚硫氰酸、2-甲基-3-巯基呋喃、2-巯基嘧啶、甲基硫脲嘧啶、2-巯基吡啶、4-巯基吡啶、2-巯基烟酸、2-巯基苯并恶唑、6-巯基嘌呤、2,6-二巯基嘌呤、1-甲基-5-巯基四氮唑、1-苯基-5-巯基四氮唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑、4-甲基-4H-3-巯基-1,2,4-三氮唑、3-巯基-1,2,4-三氮唑、1-甲基-5-巯基-1H-四氮唑中的一种或多种。
12.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述第二腐蚀抑制剂的质量百分比含量为0.05%~5%。
13.如权利要求1所述的厚光刻胶清洗液,其特征在于,
所述去离子水的质量百分比含量为0.05%~10%。
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