[发明专利]一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，其步骤为：

(1)吹塑步骤：将热塑性液晶聚酯通过挤出机熔融塑化，熔体通过环形口模，吹塑成薄膜，在吹塑法的挤出成形中，可以对从环形口模熔融挤出的圆筒状熔融体以规定的拉伸比及吹胀比进行拉伸；口模温度为热塑性液晶聚酯熔点以上1℃～20℃；

(2)热处理步骤：将液晶聚酯薄膜进行梯度热处理；将液晶聚酯薄膜加热到比薄膜热变形温度低30℃的温度至热变形温度的温度范围内保持120–480分钟；然后再次将液晶聚酯薄膜复合体加热到薄膜的熔点至比薄膜熔点高10℃的温度范围内保持60–480分钟；

(3)复合步骤：将前一步热处理得到的液晶聚酯薄膜与支撑体压合得到复合体；支撑体可选择聚酰亚胺薄膜、铜箔、铝箔；复合可选择真空热压合的方式，在比液晶聚酯熔点低30℃到熔点的温度下压合；

(4)二次水热处理步骤：将前一步骤得到的复合体加热到比薄膜的热变形温度高10℃的温度至比薄膜熔点高5℃的温度范围内并施加横向拉伸力；水热处理过程中薄膜处于水蒸汽介质中，且控制含氧量在10ppm以下；整个水热处理步骤时间1-10分钟，横向拉伸力0.5–10N；

(5)剥离步骤：将经过水热处理的液晶聚酯薄膜复合体中的支撑体剥离，得到处理完成的液晶聚酯薄膜成品；

2.根据权利要求1所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，口模温度为热塑性液晶聚酯熔点以上5℃～10℃。

3.根据权利要求1所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，在比液晶聚酯熔点低20℃到比熔点低5℃的温度下压合。

4.根据权利要求1所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：所述的液晶聚酯为使用芳香族化合物作为原料单体制备而成的液晶聚酯，其具有式(1)、式(2)和式(3)所表示的重复单元：

(1)：-O-Ar1-CO-

(2)：-CO-Ar2-CO-

(3)：-O-Ar3-O-

式中，Ar1、Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基或亚萘基。

5.根据权利要求4所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：所述的液晶聚酯为仅使用芳香族化合物作为原料单体而成的全芳香族液晶聚酯。

6.根据权利要求4所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：构成液晶聚酯的各重复单元的组合中：

重复单元(1)选自对羟基苯甲酸、6-羟基-2-萘甲酸的重复单元；重复单元(2)选自对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二甲酸的重复单元，重复单元(3)选自对苯二酚、2,6-萘二酚、4,4'-二羟基联苯的重复单元。

7.根据权利要求6所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：重复单元(2)选自对苯二甲酸、2,6-萘二甲酸的重复单元；重复单元(3)选自对苯二酚、2，6-萘二酚的重复单元。

8.根据权利要求4所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：重复单元(1)的含量为30摩尔％以上，重复单元(2)的含量通常为30摩尔％以下，重复单元(3)的含量通常为30摩尔％以下。

9.根据权利要求8所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：重复单元(1)的含量为42～88摩尔％，重复单元(2)的含量为6～30摩尔％，重复单元(3)的含量为6～30摩尔％。

10.根据权利要求8所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：重复单元(1)的含量为58～72摩尔％，重复单元(1)的含量为9～21摩尔％，重复单元(1)的含量为9～21摩尔％。

11.根据权利要求4所述的一种高延展性液晶聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：重复单元(2)的含量和重复单元(3)的含量之比为0.9/1～1/0.9。