[发明专利]多次加料直拉单晶生产方法、取料装置

权利要求书

1.一种多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，包括以下步骤：

在连续进行多根单晶棒的拉制之后，将坩埚中的剩余埚底料部分或者全部取出；

向所述坩埚中重新加入多晶硅料；

所述多晶硅料熔化后，进行下一根单晶棒的拉制。

2.如权利要求1所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，取出前，所述剩余埚底料的重量控制在3kg～30kg。

3.如权利要求1或2所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，每进行3～5单晶棒的连续拉制之后，则将所述剩余埚底料部分或者全部取出。

4.如权利要求1所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，若在拉制第N根单晶棒的过程中，第N-1根单晶棒的测试数据反馈少子寿命低于预设值，则拉制第N根单晶棒至剩余埚底料的重量为3kg～30kg，再将所述剩余埚底料部分或者全部取出。

5.如权利要求1所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，取出所述剩余埚底料的方法包括以下步骤：

使用取料装置，所述取料装置包括连接机构、储料腔体以及取料管，所述连接机构用于连接于单晶炉的重锤装置，所述储料腔体连接于所述连接机构，所述取料管与所述储料腔体连通，所述取料管具有相对设置的进液端和出液端，所述进液端位于所述储料腔体的外部，所述出液端位于所述储料腔体的内部，将所述取料装置伸入于所述坩埚中，使所述取料管的进液端位于所述坩埚的液面以下；

提高单晶炉的炉内压力，使所述剩余埚底料经所述取料管进入所述储料腔体中；

取出装有所述剩余埚底料的所述取料装置。

6.如权利要求5所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，将所述取料装置伸入于所述坩埚前，先使所述取料装置在所述单晶炉中预热30分钟～100分钟。

7.如权利要求5所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，将所述取料装置伸入于所述坩埚前，打开所述单晶炉的底部加热器到20KW～40KW，打开主加热器功率到40KW～60KW。

8.如权利要求5所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，将所述取料装置伸入于所述坩埚时，直到所述重锤装置的称重传感器测量得到的重量下降，则停止所述取料装置下降，随后将所述坩埚的高度下降，以使所述坩埚与所述取料管的进液端分离。

9.如权利要求8所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，所述坩埚的下降高度为1mm～5mm。

10.如权利要求5～9中任一项所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，提高所述单晶炉的炉内压力时，将炉内压力提高至20KPa～200KPa。

11.如权利要求1、2、4～9中任一项所述的多次加料直拉单晶生产方法，其特征在于，向所述坩埚中重新加入多晶硅料的方法包括以下步骤：

先向所述坩埚中加入粒径不大于5mm的小尺寸多晶硅料，待所述小尺寸多晶硅料熔化后，再向所述坩埚中加入粒径大于5mm且不大于100mm的大尺寸多晶硅料，所述小尺寸多晶硅料的加入量为总加料量的20％～50％。

12.一种用于取出单晶炉坩埚中物料的取料装置，其特征在于，包括连接机构、储料腔体以及取料管，所述连接机构用于连接于单晶炉的重锤装置，所述储料腔体连接于所述连接机构，所述取料管与所述储料腔体连通，所述取料管具有相对设置的进液端和出液端，所述进液端位于所述储料腔体的外部，所述出液端位于所述储料腔体的内部。

13.如权利要求12所述的取料装置，其特征在于，所述取料装置还包括石墨保护套，所述石墨保护套套设在所述储料腔体上。