[发明专利]一种自支撑纳米金属片及封装方法

权利要求书

1.一种自支撑纳米金属片，其特征在于，包括：金属支撑骨架和金属填充物，其中，所述金属填充物填充于所述金属支撑骨架的空隙中，所述金属支撑骨架与所述金属填充物的质量比范围为1：2－1：10。

2.根据权利要求1所述的自支撑纳米金属片，其特征在于，所述金属支撑骨架为金属线网格。

3.根据权利要求2所述的自支撑纳米金属片，其特征在于，所述金属线网格的网格形状包括三角形、四边形、五边形中的其中一种。

4.根据权利要求3所述的自支撑纳米金属片，其特征在于，所述金属填充物包括金属纳米片和金属纳米颗粒，所述金属纳米片和所述金属纳米颗粒混合设置于所述金属支撑骨架的空隙中。

5.根据权利要求4所述的自支撑纳米金属片，其特征在于，所述金属线网格、所述金属纳米片和所述金属纳米颗粒的材质包括金、银、铜中的其中一种。

6.根据权利要求1所述的自支撑纳米金属片，其特征在于，所述自支撑纳米金属片的厚度为100～250μm。

7.一种封装方法，基于如权利要求1－6任意一项所述的自支撑纳米金属片，其特征在于，所述封装方法包括：

依次层叠设置第一功率组件、所述自支撑纳米金属片、第二功率组件，得到待连接的功率模块；

将所述待连接的功率模块放置于烧结模具中，基于所述烧结模具调节焊缝大小，在烧结气氛下经过烧结处理完成所述功率模块之间的封装。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述烧结气氛为空气、氮气、氩气、氢氩混合气以及氢氮混合气中的其中一种。

9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述烧结处理中的烧结温度为25℃－250℃、烧结时间为20min－200min。

10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，应用于芯片与封装基板、或底板与热沉、或封装基板与底板之间的连接。