[发明专利]一种柔性方硅阵列探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，包括集成电路板和柔性方硅阵列，集成电路板上设置有高能粒子感应元件，高能粒子感应元件位于集成电路板和柔性方硅阵列之间，高能粒子感应元件与柔性方硅阵列中的方硅芯片的位置重合。

2.根据权利要求1所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，所述柔性方硅阵列包括高分子柔性聚酰亚胺薄膜衬底层、柔性可拉伸互联导线，焊盘和方硅芯片，方硅芯片通过焊盘与柔性可拉伸互联导线连接，多个方硅芯片之间通过柔性可拉伸互联导线并联并以点阵形式集成在高分子柔性聚酰亚胺薄膜衬底层上，方硅芯片不可拉伸。

3.根据权利要求1所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，所述柔性方硅阵列采用“岛-桥”结构，方硅芯片处于“岛”的位置，柔性可拉伸互联导线处于“桥”的位置。

4.根据权利要求1所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，所述集成电路板可为一体结构也可为多个集成电路板形成的集成电路板组。

5.根据权利要求1所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，所述集成电路板为柔性电路板。

6.根据权利要求1所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，高能粒子感应元件为随机动态存储器。

7.根据权利要求1所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，柔性可拉伸互联导线为蛇形。

8.一种柔性方硅阵列探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:

步骤S100、基于电子元件的位置和力学大变形理论，设计柔性可拉伸互联导线的具体形状；

步骤S200、剥离高分子柔性聚酰亚胺覆铜膜表面的金属铜，覆铜膜表面形成焊盘和柔性可拉伸互联导线；

步骤S300、沿着柔性可拉伸互联导线边缘切割高分子柔性聚酰亚胺覆铜膜下层的高分子柔性聚酰亚胺薄膜衬底层，形成镂空的柔性可拉伸电路；

步骤S400、在焊盘上焊接方硅芯片，制备成柔性方硅阵列；

步骤S500、制备设置有高能粒子感应元件的集成电路板，高能粒子感应元件设置在集成电路板与方硅芯片对应的位置；

步骤S600、将柔性方硅阵列的高分子柔性聚酰亚胺薄膜衬底层与高能粒子感应元件连接在一起，连接时保证方硅芯片和高能粒子感应元件的位置重合。

9.根据权利要求7所述的一种柔性方硅阵列探测器的制备方法，其特征在于，所述分子柔性聚酰亚胺覆铜膜包括上层的金属铜层和下层的高分子柔性聚酰亚胺薄膜衬底层，金属铜层经过加工后形成焊盘和柔性可拉伸互联导线，焊盘和柔性可拉伸互联导线同时制备完成，焊盘的宽度比柔性可拉伸互联导线的线宽大。

10.根据权利要求7所述的一种柔性方硅阵列探测器，其特征在于，所述柔性可拉伸互联导线需要满足以下条件：承受50％拉伸应变、180度弯曲或180度扭转时可拉伸互联导线不会发生塑形屈曲以及破坏。