[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202111591471.0 | 申请日: | 2021-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN114695471A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 卞希琇;郑承龙;韩允真;元净恩 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李德山;姚文杰 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
显示装置包括:具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板;在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个处的第一电极;第一电极上的包括第一发光层的第一发射部分;第一电极上的包括第二发光层的第二发射部分;第一电极上的包括第三发光层的第三发射部分;以及第三发射部分上的第二电极。第一发光层、第二发光层和第三发光层彼此发射不同颜色的光。第一电极与第二电极之间的距离在310nm至450nm的范围内。
技术领域
本公开内容涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置被应用于各种应用产品,例如电视机、监视器、智能电话、平板PC(个人计算机)、笔记本计算机和可穿戴装置。此外,显示装置主要被容纳在观看者的头部上安装的仪器中,并且被配置成紧靠观看者保持。因此,设置有显示装置的区域限于预定的物理空间。为此,需要集成度和高亮度两者来实现更清晰的具有更高分辨率的显示设备。
发明内容
因此,本公开内容的发明人认识到上述问题并进行各种实验以实现能够改善亮度的显示装置。通过各种实验,可以提供具有能够实现高亮度的新结构的显示装置。
根据本公开内容的实施方式的本公开内容的一个方面是提供一种具有高亮度的显示装置。
另外的特征和方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将从描述中变得明显,或者可以通过实践本文提供的实施方式来了解。实施方式的其他特征和方面可以通过在书面描述或从其衍生的描述、以及权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
根据本公开内容的实施方式的显示装置包括:包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板;在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个处的第一电极;第一电极上的包括第一发光层的第一发射部分;第一电极上的包括第二发光层的第二发射部分;第一电极上的包括第三发光层的第三发射部分;以及在第三发射部分上的第二电极。第一发光层、第二发光层和第三发光层彼此发射不同颜色的光。第一电极与第二电极之间的距离在310nm至450nm的范围内。
根据本公开内容的实施方式的显示装置包括:包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板;设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个处的反射电极;在反射电极上的第一电极;第一发射部分,其在第一电极上并且包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层中的任意一个;第二发射部分,其在第一发射部分上并且相对于第一发射部分包括不同的发光层;第三发射部分,其在第二发射部分上并且相对于第一发射部分和第二发射部分包括不同的发光层;以及在第三发射部分上的第二电极。在第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分中的任意一个中的蓝光发光层比在第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分中的任意一个中的红光发光层更靠近第一电极。第一电极与第二电极之间的距离在310nm至450nm的范围内。
根据本公开内容的实施方式的显示装置包括:包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板;设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个处的反射电极;在反射电极上的第一电极;第一发射部分,其在第一电极上并且包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层中的任意一个;第二发射部分,其在第一发射部分上并且相对于第一发射部分包括不同的发光层;第三发射部分,其在第二发射部分上并且相对于第一发射部分和第二发射部分包括不同的发光层;以及在第三发射部分上的第二电极。在第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分中的任意一个中的红光发光层比在第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分中的任意一个中的蓝光发光层更靠近第一电极。第一电极与第二电极之间的距离在310nm至450nm的范围内。
根据本公开内容的实施方式的显示装置包括:包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板;设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个处的第一电极;依次堆叠在第一电极上的第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分;以及在第三发射部分上的第二电极。第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分中的每一个包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层中的任意一个。蓝光发光层设置在红光发光层与绿光发光层之间。第一电极与第二电极之间的距离在310nm至385nm的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





