[发明专利]原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法在审
申请号: | 202111590788.2 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114438476A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 周向前 | 申请(专利权)人: | 周向前 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 上海上谷知识产权代理有限公司 31342 | 代理人: | 胡五荣 |
地址: | 201807 上海市嘉定区城北路1*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 原子 沉积 反应 气体 制备 机构 及其 方法 | ||
本发明公开了一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法,制备机构包括:反应源、载气源和反应气体罐,所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液;所述载气源通过载气管道与所述反应源连通,所述载气管道可操作地插入所述反应液内;所述反应气体罐与所述反应源连通,所述反应气体罐能够密封。本发明提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构,该机构包括:反应源和反应气体罐,反应源内的反应气体被载气携带进入反应气体罐内,反应气体和载气在反应气体罐内被密封。当小型实验室需要对原子层沉积反应进行实验时,可以仅仅购买一罐反应气体罐,将反应气体罐接入原子层沉积反应室上,就能够进行原子层沉积实验。
技术领域
本发明实施例涉及原子层沉积领域,特别涉及一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法。
背景技术
自1970年代被发明以来,原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)已被广泛地应用于现代信息、能源及生物医药产业。ALD独特的自限制生长机理(Self-limitedGrowth Mechanism)使其具有十分优异的低温生长性能,在100℃以内甚至室温条件下,可以保证优异的膜生长均匀性、保形性以及精确到纳米量级的膜厚度控制性。ALD所展现出来的独特优势,也使其在近年来快速发展的有机电子、印刷电子以及柔性电子领域展现出极具优势的广阔的应用前景。
现有的原子层沉积主要是将反应液体气化后通过载气的携带进入原子层沉积的反应室内,反应气体与反应室内的基板进行反应。
发明人发现现有技术至少存在如下问题,在原子层沉积反应过程中一般需要设置反应液体室和载气源,并且反应液体室和载气源通过许多复杂的管道与原子层沉积反应室进行连接,这就导致原子层沉积反应机构非常庞大和复杂。并且液态的反应液一般属于易燃易爆产品,因对原子层沉积反应机构的安全系数要求也非常高。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种原子层沉积反应气体的制备机构,使得原子层沉积反应能够变得安全简单。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构,包括:
反应源,所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液;
载气源,所述载气源通过载气管道与所述反应源连通,所述载气管道可操作地插入所述反应液内;
反应气体罐,所述反应气体罐与所述反应源连通,所述反应气体罐能够密封。
本发明实施方式相对于现有技术而言,本发明提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构,该机构包括:反应源和反应气体罐,反应源内的反应气体被载气携带进入反应气体罐内,反应气体和载气在反应气体罐内被密封。当小型实验室需要对原子层沉积反应进行实验时,可以仅仅购买一罐反应气体罐,将反应气体罐接入原子层沉积反应室上,就能够进行原子层沉积实验。
采用本发明的原子层沉积反应气体制备机构后,能够有效地提高原子层沉积反应的便利性,为目前芯片或半导体的实验等提供了高效的便利条件。
在一实施例中,所述原子层沉积反应气体的制备机构还包括第一加热装置,所述第一加热装置可操作地加热所述反应源内的反应液。
在一实施例中,所述第一加热装置为加热釜,所述反应源位于所述加热釜中。
在一实施例中,所述载气管道上设置第一开关阀;
所述制备机构还包括真空泵,所述真空泵与所述载气管道连通。
在一实施例中,所述真空泵与所述反应气体罐可操作地连通。
在一实施例中,所述制备机构还包括与所述反应气体罐可操作地连通的吹扫气体源,所述吹扫气体源可操作地往所述反应气体罐内输入吹扫气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周向前,未经周向前许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111590788.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种核设施废气择时排放的设计方法
- 下一篇:一种时延周期性越限的告警处理方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的