[发明专利]温度检测电路在审
| 申请号： | 202111588517.3 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114353976A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈涛 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度 检测 电路 | ||
1.一种温度检测电路，其特征在于，其包括第一偏置电流源(I1)、第二偏置电流源(I2)、第一NPN三极管(Q1)、第二NPN三极管(Q2)、MOS管(M1)、反相器(INV)、电阻(R1)；
所述MOS管(M1)的源漏一端接工作电压(VDD)，另一端接第一NPN三极管(Q1)的基极及第二NPN三极管(Q2)的基极；
所述MOS管(M1)的栅极及第一NPN三极管(Q1)的集电极接第一偏置电流源(I1)；
所述第一NPN三极管(Q1)的发射极经电阻(R1)接地；
所述第二NPN三极管(Q2)的发射极短接地；
所述第二NPN三极管(Q2)的集电极及反相器(INV)的输入端同接第二偏置电流源(I2)；
所述反相器(INV)的输出端(TPOUT)作为温度检测电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，
所述温度检测电路还包括温度输出模块；
所述温度输出模块，根据使反相器(INV)的输出端(TPOUT)的电平反转时第一偏置电流源输出的第一偏置电流I1、第二偏置电流源输出的第二偏置电流I2，计算输出检测温度值：
IS1为第一NPN三极管(Q1)的饱和电流，k为玻尔兹曼常数，q为电子电荷，IS2为第二NPN三极管(Q2)的饱和电流，R1为电阻阻值。
3.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，
第一偏置电流源输出的第一偏置电流I1小于第二偏置电流源输出的第二偏置电流I2。
4.根据权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，
I2＝K*I1,K为正整数。
5.根据权利要求4所述的温度检测电路，其特征在于，
K为5～15。
6.根据权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，
第一NPN三极管(Q1)由M个结构相同的基本NPN三极管并联组成；
第二NPN三极管(Q2)由N个结构相同的基本NPN三极管并联组成；
I1*NI2*M。
7.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，
电阻(R1)的阻值为0.5KΩ～10KΩ。
8.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，
所述MOS管(M1)为增强型MOS管。
9.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，
所述MOS管(M1)为N沟道增强型MOS管；
MOS管(M1)的漏端接工作电压(VDD)，源端接第一NPN三极管(Q1)的基极及第二NPN三极管(Q2)的基极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普冉半导体（上海）股份有限公司，未经普冉半导体（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111588517.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
