[发明专利]单晶硅体内BMD的批量评价方法

权利要求书

1.一种单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：选取不同氧含量的数个原始硅片；

步骤二：对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；

步骤三：对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；

步骤四：对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；

步骤五：对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；

步骤六：对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，以对待测硅片进行批量检测。

2.根据权利要求1所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述步骤一中还包括对原始硅片除杂，所述除杂步骤具体为：将数个原始硅片进行清洗、抛光，去除原始硅片表面的油污及原始硅片表面的损伤。

3.根据权利要求1所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述步骤三之前还包括：预处理，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；

再将有致密薄膜的原始硅片通入第二预定气体，保持第二预定时间，使原始硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，得到经过预处理的原始硅片。

4.根据权利要求3所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述预处理步骤中，所述第一预定升温速率50℃/s-100℃/s，所述第一预定温度为1000℃-1200℃，所述第一预定气体为氮气或氧气，所述氮气或氧气的压力为10bar-100bar，第一预定的时间为1min-30min。

5.根据权利要求3所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述预处理步骤中，所述第二预定气体为氩气，所述氩气的压力为10bar-100bar，所述第二预定的时间为5min-30min。

6.根据权利要求1所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述步骤三之后还包括：清洗，所述清洗步骤具体操作为：将数个处理硅片进行化学药剂清洗。

7.根据权利要求6所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述清洗步骤中，化学药剂为HF、HNO₃。

8.根据权利要求1所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述步骤五中BMD检测的具体步骤为：还包括择优腐蚀，所述择优腐蚀步骤具体为：将数个处理硅片对半解理，进行择优腐蚀，使处理硅片体内的BMD显露，将择优腐蚀后的每一个处理硅片放在显微镜下进行BMD数目检测，获得每一个处理硅片的BMD数值。

9.根据权利要求8所述的单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，所述步骤五中，所述择优腐蚀的药剂为：HF或HNO₃或Cu（NO₃）₂或AgNO₃。