[发明专利]一种基于石墨烯膜的光导半导体开关有效
| 申请号： | 202111586363.4 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114267749B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李伟;李佳峻 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都正煜知识产权代理事务所(普通合伙) 51312 | 代理人： | 徐金琼 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 半导体 开关 | ||
1.一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：包括栅型结构的半导体基片(1)，依次设置在半导体基片(1)上的第一过渡层(2)、第一石墨烯膜(3)和阴极(4)，依次设置在半导体基片(1)上的第二过渡层(5)、第二石墨烯膜(6)和阳极(7)；在激光照射一侧,半导体基片上刻蚀了周期性的槽为栅型结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：所述第一过渡层(2)、第一石墨烯膜(3)和阴极(4)依次设置在半导体基片(1)的上表面上；
所述第二过渡层(5)、第二石墨烯膜(6)和阳极(7)依次设置在半导体基片(1)的上表面或下表面上。
3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：所述半导体基片(1)为纯度99.999％以上的砷化镓或碳化硅中的一种制备而成。
4.根据权利要求3所述的一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：所述第一过渡层(2)和第二过渡层(5)为金属材质。
5.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：所述第一过渡层(2)和第二过渡层(5)由铂或钯中的一种。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：所述第一石墨烯膜(3)和第二石墨烯膜(6)为单层的石墨烯，厚度为μm量级。
7.根据权利要求6所述的一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：所述阴极(4)和阳极(7)由铜镀金制备而成。
8.根据权利要求7所述一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，其特征在于：槽的宽度为1mm-3mm，长度为10mm-20mm，深度为3mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111586363.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
