[发明专利]一种电源电路及装置

权利要求书

1.一种电源电路，其特征在于，所述电路包括多相调制电路，所述多相调制电路包括多个通道，所述多个通道为负载输出供电电源，所述多个通道中的至少一个通道包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电容以及第二电容，其中，所述第一电容的一端与所述第二电容的一端连接，所述第一电容的另一端分别与所述第一开关管的第一极和所述第二开关管的第一极连接，所述第二电容的另一端与输出节点VSSH连接，所述第一开关管的第二极与所述第三开关管的第二极用于输入第一驱动信号，所述第二开关管的第二极与所述第四开关管的第二极用于输入第二驱动信号，所述第一开关管的第三极、所述第三开关管的第三极、所述第四开关管的第一极与所述输出节点VSSH连接，所述第三开关管的第一极用于耦合电源电压VDD，所述第四开关管的第三极和所述第二开关管的第三极接地。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电容的容值为所述第二电容的容值的N倍，其中，所述N大于1。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关管与所述第三开关管的类型相同，所述第二开关管与所述第四开关管的类型相同。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一开关管的尺寸大小为所述第三开关管的尺寸大小的X倍，所述第二开关管的尺寸大小为所述第四开关管的尺寸大小的Y倍，所述X和所述Y均大于1。

5.如权利要求1-4任一项所述的电路，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管或所述第四开关管包括双极性晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或化合物半导体晶体管。

6.如权利要求1-4任一项所述的电路，其特征在于，所述第一电容或所述第二电容包括陶瓷电容、钽电容或电解电容。

7.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述电源电路为多相位调制电源电路。

8.一种电源电路，其特征在于，所述电路包括多相调制电路，所述多相调制电路包括多个通道，所述多个通道为负载输出供电电源，所述多个通道中至少一个通道包括第一开关管、第二开关管、第一电容以及电源芯片，所述电源芯片包括第三开关管、第四开关管以及第二电容，其中，所述第一电容的一端与所述第二电容的一端连接，所述第一电容的另一端分别与所述第一开关管的第一极和所述第二开关管的第一极连接，所述第二电容的另一端与输出节点VSSH连接，所述第一开关管的第二极与所述第三开关管的第二极用于输入第一驱动信号，所述第二开关管的第二极与所述第四开关管的第二极用于输入第二驱动信号，所述第一开关管的第三极、所述第三开关管的第三极、所述第四开关管的第一极与所述输出节点VSSH连接，所述第三开关管的第一极用于耦合电源电压VDD，所述第四开关管的第三极和所述第二开关管的第三极接地。

9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述第一电容设置在所述电源芯片外部、且邻近于所述第二电容。

10.一种无线通讯系统装置，其特征在于，所述装置包括如权利要求1-9任一项所述的电路。