[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法在审
| 申请号: | 202111578806.5 | 申请日: | 2021-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN115206973A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
| 发明(设计)人: | 横山雄一 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成 组合 形成 方法 | ||
1.一种集成组合件,其包括:
第一连接区,其包括第一接触衬垫;
第二连接区,其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫;所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准,并且所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准;
存储器阵列区,其在所述第一及第二连接区之间;
第一导线,其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;
第二导线,其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;及
所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。
2.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括一或多种金属。
3.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括钌。
4.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述相同组成物由钌组成。
5.根据权利要求1所述的集成组合件,其中:
所述第一接触衬垫具有所述第一导线从其突出的第一外表面;
所述第二接触衬垫具有所述第二导线从其突出的第二外表面;
所述第一导线延伸到所述区且具有与所述第二外表面横向地对准的第一端子端部;及
所述第二导线延伸到所述第一连接区且具有与所述第一外表面横向地对准的第二端子端部。
6.根据权利要求5所述的集成组合件,其中所述第一及第二接触衬垫为多边形,并且其中所述第一及第二外表面是平坦表面。
7.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述多边形第一及第二接触衬垫为矩形。
8.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述多边形第一及第二接触衬垫为正方形。
9.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第一及第二导线是数字线。
10.根据权利要求9所述的集成组合件,其中所述第一及第二接触衬垫与感测放大器电路系统电耦合。
11.一种集成组合件,其包括:
第一连接区,其包括第一接触衬垫;
第二连接区,其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫;所述第一接触衬垫布置在第一组及第二组中,其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准,其中所述第二组的所述第一接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准,并且其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着所述第一方向从所述第二组的所述第一接触衬垫偏移;所述第二接触衬垫布置在第三组及第四组中,其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准,其中所述第四组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准,并且其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第一方向从所述第四组的所述第二接触衬垫偏移;
存储器阵列区,其在所述第一及第二连接区之间;
第一导线,其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;
第二导线,其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;及
所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。
12.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述存储器阵列是DRAM阵列。
13.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括一或多种金属。
14.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括钌。
15.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述相同组成物由钌组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111578806.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





