[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法在审

专利信息
申请号: 202111578806.5 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN115206973A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 横山雄一 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/8242
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成 组合 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种集成组合件,其包括:

第一连接区,其包括第一接触衬垫;

第二连接区,其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫;所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准,并且所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准;

存储器阵列区,其在所述第一及第二连接区之间;

第一导线,其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;

第二导线,其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;及

所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。

2.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括一或多种金属。

3.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括钌。

4.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述相同组成物由钌组成。

5.根据权利要求1所述的集成组合件,其中:

所述第一接触衬垫具有所述第一导线从其突出的第一外表面;

所述第二接触衬垫具有所述第二导线从其突出的第二外表面;

所述第一导线延伸到所述区且具有与所述第二外表面横向地对准的第一端子端部;及

所述第二导线延伸到所述第一连接区且具有与所述第一外表面横向地对准的第二端子端部。

6.根据权利要求5所述的集成组合件,其中所述第一及第二接触衬垫为多边形,并且其中所述第一及第二外表面是平坦表面。

7.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述多边形第一及第二接触衬垫为矩形。

8.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述多边形第一及第二接触衬垫为正方形。

9.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述第一及第二导线是数字线。

10.根据权利要求9所述的集成组合件,其中所述第一及第二接触衬垫与感测放大器电路系统电耦合。

11.一种集成组合件,其包括:

第一连接区,其包括第一接触衬垫;

第二连接区,其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫;所述第一接触衬垫布置在第一组及第二组中,其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准,其中所述第二组的所述第一接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准,并且其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着所述第一方向从所述第二组的所述第一接触衬垫偏移;所述第二接触衬垫布置在第三组及第四组中,其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准,其中所述第四组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准,并且其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第一方向从所述第四组的所述第二接触衬垫偏移;

存储器阵列区,其在所述第一及第二连接区之间;

第一导线,其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;

第二导线,其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸;及

所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。

12.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述存储器阵列是DRAM阵列。

13.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括一或多种金属。

14.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述相同组成物包括钌。

15.根据权利要求11所述的集成组合件,其中所述相同组成物由钌组成。

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