[发明专利]一种FPWM中削减负向电感电流的电路在审

专利信息
申请号: 202111575114.5 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN116317565A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 肖飞;于翔 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/36
代理公司: 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 代理人: 赵卿
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 fpwm 削减 电感 电流 电路
【权利要求书】:

1.一种FPWM中削减负向电感电流的电路,其特征在于:

所述电路中包括镜像单元、比较单元、放电单元和整形单元;其中,

所述镜像单元,与所述比较单元连接,用于基于软启动信号、电流源的输入生成镜像电流;

所述比较单元,分别与所述镜像单元、放电单元和整形单元连接,用于基于镜像电流为电容C2充电产生的电压和参考电压的比较获得输出结果;

所述放电单元,与所述比较单元并联,基于所述比较单元的输出结果对电容C2放电;

所述整形单元,对所述比较单元和放电单元输出的所述高低电平规律切换的输出结果进行整形,以生成时钟信号,并接入所述FPWM电路的振荡器输入端中。

2.根据权利要求1中所述的一种FPWM中削减负向电感电流的电路,其特征在于:

所述镜像单元包括电流源I0、电容C0、第一MOS管M0、第二MOS管M1;其中,

所述电流源一端接地,另一端与所述第一MOS管M0的漏极和栅极、第二MOS管M1的栅极、电容C0的一端连接;

所述第一MOS管M0、第二MOS管M1的源极均与器件电压Vdd连接;

所述电容C0的另一端作为所述镜像单元的输入端,连接所述软启动信号;

所述第二MOS管M1的漏极生成所述镜像单元的输出端的镜像电流为电容C2充电产生的电压Vc,连接所述比较单元和所述放电单元的输入端。

3.根据权利要求2中所述的一种FPWM中削减负向电感电流的电路,其特征在于:

所述比较单元包括比较器CP,所述比较器的正相输入端与所述镜像单元的输出端的镜像电流为电容C2充电产生的电压Vc连接,负相输入端与参考电压Vref连接,输出端的输出结果作为所述放电单元的反馈和所述整形单元的输入。

4.根据权利要求3中所述的一种FPWM中削减负向电感电流的电路,其特征在于:

所述放电单元包括电容C2、放电开关K3;

其中,所述电容C2一端分别与所述镜像单元的输出端、所述比较单元的输入端连接,另一端接地;

所述放电开关K3为NMOS管,栅极与所述比较单元的输出端连接,源极和漏极分别并联在所述电容C2的两端。

5.根据权利要求4中所述的一种FPWM中削减负向电感电流的电路,其特征在于:

所述整形单元,输入端与所述比较单元的输出端连接,输出端生成时钟信号CK,并与所述FPWM电路中振荡器的输入端连接。

6.根据权利要求1中所述的一种FPWM中削减负向电感电流的电路,其特征在于:

当所述软启动信号的电压由高电平向低电平切换后,第二MOS管M1的栅极电压降低,导致电容C2充电电流增大;

所述镜像电流为电容C2充电产生的电压Vc和所述比较器CP输出端的输出结果随电容C2充电电流增大而提高切换频率。

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