[发明专利]一种混合结构声波器件在审
申请号: | 202111574229.2 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114389561A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 陈云姣;王为标;陆增天;徐彬;韦鹏 | 申请(专利权)人: | 无锡市好达电子股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 过顾佳 |
地址: | 214124 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混合结构 声波 器件 | ||
1.一种混合结构声波器件,其特征在于,包括衬底,设置于所述衬底上的工作区和电极导通区;所述工作区包括体声波谐振器和设置于所述体声波谐振器上方的声表面波谐振器;所述体声波谐振器包括由下至上依次设置的下布拉格反射镜、体声波换能器和上布拉格反射镜;所述声表面波谐振器包括压电层和声表面波换能器;所述电极导通区设置在所述工作区两侧,用于将所述体声波谐振器的电极导通至所述声波器件表面。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述下布拉格反射镜和上布拉格反射镜均包括至少一层交替层,所述交替层包括低声阻抗材料和高声阻抗材料。
3.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,若所述下布拉格反射镜或上布拉格反射镜接触的所述体声波换能器的电极为低声阻抗材料,则与所述电极直接接触的交替层的高声阻抗材料和低声阻抗材料沿接触面向器件外侧方向依次排布。
4.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,若所述下布拉格反射镜或上布拉格反射镜接触的所述体声波换能器的电极为高声阻抗材料,则与所述电极直接接触的交替层的低声阻抗材料和高声阻抗材料沿接触面向器件外侧方向依次排布。
5.根据权利要求3或4所述的器件,其特征在于,所述下布拉格反射镜和上布拉格反射镜均包括多层交替层,则对于其余的交替层,每个所述交替层的低声阻抗材料和高声阻抗材料的排布顺序与靠近器件内侧方向相接触的交替层有关,且沿接触面向器件外侧方向按照高低交错的顺序排布。
6.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述电极导通区包括外接电极,所述体声波谐振器的至少一个电极通过导电柱导通至所述电极导通区表面,并通过所述外接电极和所述声表面波谐振器的至少一个电极连通。
7.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述电极导通区包括相互独立的体声波外接电极和声表面波外接电极,所述体声波谐振器的至少一个电极通过导电柱导通至所述电极导通区表面与所述体声波外接电极连通,所述声表面波谐振器的至少一个电极与所述声表面波外接电极连通。
8.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述体声波换能器包括由下至上依次设置的下电极、压电结构和上电极,所述下电极和上电极在所述压电结构的正投影区有重叠部分。
9.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述压电层由单层压电材料构成,或者由多层不同的压电材料堆叠构成。
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