[发明专利]一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片

权利要求书

1.一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述芯片基于GaAs工艺，采用1μm平面GaAs肖特基二极管空气桥结构为工艺版图进行用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成；

所述芯片具体包括4个呈中心对称的2×2陈列排列集成的单路式外差接收机单元；

每个单路式外差接收机单元的倍频器部分位于芯片外侧，混频器部分位于芯片内侧；

每个单路式外差接收机单元具有5个端口，分别为W波段本振信号端口，RF射频信号端口，直流偏置端口，中频信号输出端口以及接地端口，则芯片具有4个W波段本振信号端口、4个RF射频信号端口、4个中频信号输出端口、4个直流偏置端口和4个接地端口。

2.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述直流偏置端口为GaAs肖特基二极管端口，GaAs肖特基二极管一端接高压，另一端通过中心设计的方形pad连接接地端口。

3.根据权利要求2所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，每个单路式外差接收机单元中，W波段本振LO信号通过波导馈入W波段本振信号端口，通过偏置状态下的倍频器倍频为太赫兹频段本振信号，探测的太赫兹频段的RF射频信号通过波导馈入RF射频信号端口，通过混频器下的变频中频信号通过4个中频信号输出端口连接SMA输出。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述W波段本振信号端口位于芯片左、右外边；

所述RF射频信号端口位于芯片上、下方向并朝向中心；

所述中频信号输出端口位于芯片上、下边向外输出；

所述直流偏置端口设于单路式外差接收机单元内部，用于混频器与倍频器的直流偏置。

5.根据权利要求4所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述W波段本振信号端口为E面探针，通过波导腔体馈入。

6.根据权利要求5所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述RF射频信号端口通过垂直于芯片表面的波导腔体馈入。

7.根据权利要求6所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述中频信号输出端口通过SMA头接出。

8.根据权利要求4所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，4个RF射频信号端口形成400um×1300um矩阵。

9.根据权利要求3所述的一种用于太赫兹雷达、探测成像的2×2陈列接收集成芯片，其特征在于，所述直流偏置端口的电压范围-2V～2V，用于信号的倍频与调制变频。