[发明专利]一种平衡式结构体的硅压传感器芯片在审
| 申请号： | 202111566934.8 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114235237A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王东平;李正 | 申请（专利权）人： | 苏州感芯微系统技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平衡 结构 传感器 芯片 | ||
1.一种平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，包括衬底（1）、感应薄膜（2）和绝压罩（3）； 所述感应薄膜（2）设于所述衬底（1）上表面，绝压罩（3）贴合于感应薄膜（2）上表面；
所述衬底（1）下部设有合流腔（11），合流腔（11）中部通过受压腔（12）连通到感应薄膜（2）下表面，合流腔（11）边缘处通过通孔（13）连通衬底（1）上表面；
所述感应薄膜（2）上包括基于惠斯通电桥设计的四个压力应变电阻；
所述绝压罩（3）下方设置绝压腔（31），与感应薄膜（2）上表面之间形成密封腔体；绝压罩（3）内还设置有防爆支点（32）。
2.根据权利要求1所述的平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，所述衬底（1）上表面设有电极点（14），用于输出感应薄膜（2）产生的电信号。
3.根据权利要求2所述的平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，所述硅压传感器芯片置于外壳（4）内，所述衬底（1）下端和外壳（4）下端均固定于基板（5）上。
4.根据权利要求3所述的平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，所述基板（5）上对应合流腔（11）位置设有第一气孔（51），外壳（4）上无透气结构。
5.根据权利要求3所述的平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，所述基板（5）上对应合流腔（11）位置无透气结构，所述外壳（4）上设有第二气孔（42）。
6.根据权利要求3所述的平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，
所述防爆支点（32）与绝压罩（3）一体成型，位于绝压罩（3）内绝压腔（31）的中部；防爆支点（32）的端部具有一定面积的平面，且与感应薄膜（2）之间留有一定距离的缝隙。
7.根据权利要求3所述的平衡式结构体的硅压传感器芯片，其特征在于，所述通孔（13）数量为多个，均匀分布于合流腔（11）边缘处。
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