[发明专利]一种磁性能一致性高的R-T-B系烧结磁体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，所述烧结磁体沿取向方向和/或非取向方向的厚度大于3mm，且小于等于10mm；沿磁体取向方向和/或非取向方向至磁体的几何中心，重稀土元素RH含量呈逐渐降低趋势；在所述烧结磁体的取向方向上，距磁体表面100μm处的内禀矫顽力最大值iHc(1)与磁体的几何中心处的内禀矫顽力iHc(2)具有如下关系式：

iHc(1)-iHc(2)≤60kA/m (式I)。

2.根据权利要求1所述的烧结磁体，其特征在于，所述重稀土元素RH选自Dy和Tb中的至少一种。

优选地，所述R-T-B系烧结磁体中，经晶界扩散法处理后，所述重稀土元素RH的含量增量为≥0.2wt％，优选为0.2-1.5wt％。

优选地，所述R-T-B系烧结磁体包括：

R选自Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、Gd中的至少一种，其含量优选为27-34wt％；

B，其含量优选为0.8-1.3wt％；

T选自Fe和M，其中M选自Ti、V、Cr、Mn、Co、Ga、Cu、Si、Al、Zr、Nb、W、Mo中的至少一种；M的含量优选为0-5wt％。

3.根据权利要求1或2所述的烧结磁体，其特征在于，所述R-T-B系烧结磁体中，沿取向方向上，距所述磁体表面至磁体几何中心100μm处的RH含量C1(质量％)与磁体几何中心处的重稀土元素RH含量C2(质量％)至少满足如下式II或式①中一种：

C1-C2≤0.4wt％ (式II)；

0.64e^-0.185t1+0.15≤C1-C2≤0.64e^-0.185t1+0.25 式①；

其中，C1、C2的单位为wt％；t1为所述烧结磁体沿扩散方向厚度值，t1的单位为mm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的烧结磁体，其特征在于，在所述烧结磁体的非取向方向上，距磁体表面100μm处的内禀矫顽力最大值iHc(1)与磁体的几何中心处的内禀矫顽力iHc(2)具有如下关系式：

iHc(3)-iHc(4)≤80kA/m (式III)。

优选地，所述R-T-B系烧结磁体中，沿非取向方向上，所述磁体表面至磁体几何中心对称100μm处的重稀土元素RH含量C3(质量％)与磁体几何中心处的重稀土元素RH含量C4(质量％)至少满足如式Ⅳ或式②中一种：

C3-C4≤0.6wt％ (式Ⅳ)；

-0.28ln(t2)+0.83≤C3-C4≤-0.28ln(t2)+1.33 式②；

其中，C3、C4的单位为wt％；t2为所述烧结磁体沿扩散方向的厚度值，t1的单位为mm。

5.权利要求1-4任一项所述的R-T-B系烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法为晶界扩散法，所述制备方法包括如下步骤：

1)制备烧结磁体基体；

2)在所述烧结磁体基体的至少两个表面上布置RH扩散层；

3)将步骤2)的表面布置RH扩散层的烧结磁体基体进行扩散处理，得到所述R-T-B系烧结磁体。

6.根据权利要求5所述的烧结磁体，其特征在于，步骤1)中，所述基材的原料包括：

R，选自Nd、Pr、Ho、Gd中的至少一种；

T选自Fe和M，其中M，选自Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Ga、Ca、Cu、Zn、Si、Al、Mg、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Mo中的一种或几种；

B；

和任选的重稀土元素RH，所述重稀土元素RH选自Dy和Tb中的至少一种；

所述基材的原料具有如权利要求2中所述的化学计量数。

7.根据权利要求5或6所述的烧结磁体，其特征在于，步骤1)中，制备烧结磁体基体具体包括分别制备第一粉末和第二粉末，并将第一粉末和第二粉末混合后，得到烧结磁体基体。

优选地，第一粉末的平均粉末粒度为s1，第二粉末的平均粉末粒度为s2，且0.3μm≤s1-s2≤1.0μm。

优选地，第一粉末和第二粉末的质量比为1：(1-5)。