[发明专利]一种套刻误差补偿精度的测量方法

权利要求书

1.一种套刻误差补偿精度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

在制作的第一掩模上放置参考层套刻标识，第二掩模上放置目标层套刻标识；

使用所述第一掩模对晶圆进行光刻后刻蚀，得到套刻图形，将刻有所述套刻图形的所述晶圆转移至衬底表面，得到预处理晶圆；

使用所述第二掩模对所述预处理晶圆进行光刻，得到目标晶圆；

使用所述第二掩模对所述目标晶圆的套刻误差进行测量，得到套刻偏差和套刻偏差分布；

基于所述套刻偏差和所述套刻偏差分布并通过补偿公式计算出对应的水平和垂直方向补偿参数的补偿波动范围。

2.如权利要求1所述的套刻误差补偿精度的测量方法，其特征在于，

所述使用所述第一掩模对晶圆进行光刻后刻蚀的具体方式为：

在所述晶圆表面依次旋涂底层抗反射涂层和光刻胶；

使用带有所述参考层套刻标识的所述第一掩模，通过光刻机对所述晶圆上的所述光刻胶进行光刻；

将光刻完成后的所述晶圆转移至刻蚀机对所述底层抗反射涂层进行刻蚀，得到套刻图形。

3.如权利要求2所述的套刻误差补偿精度的测量方法，其特征在于，

所述使用所述第二掩模对所述预处理晶圆进行光刻，得到目标晶圆的具体方式为：

根据所述晶圆的多个曝光场对所述光刻机的参数进行设置；

使用带有所述目标层套刻标识的所述第二掩模，通过参数设置后所述光刻机对所述预处理晶圆进行光刻，得到目标晶圆。

4.如权利要求3所述的套刻误差补偿精度的测量方法，其特征在于，

所述根据所述晶圆的多个曝光场对所述光刻机的参数进行设置的具体方式为：

按照所述晶圆的多个所述曝光场的顺序，基于补偿公式计算曝光区域内的套刻修正偏差，并建立套刻修正偏差控制菜单，为每一个所述曝光场设置不同的套刻误差参数；

基于所述补偿公式建立主场曝光套刻控制表，对每一个所述曝光场的补偿值进行设置。

5.如权利要求4所述的套刻误差补偿精度的测量方法，其特征在于，

所述使用所述第二掩模对所述目标晶圆的套刻误差进行测量，得到套刻偏差和套刻偏差分布的具体方式为：

使用所述第二掩模对所述目标晶圆的所有曝光场的套刻误差进行测量，得到套刻数据；

对所述套刻数据进行分类和分析，将所述套刻数据中的异常点排除，得到筛选数据；

基于所述筛选数据计算出所述目标晶圆每个所述曝光场的套刻偏差和套刻偏差分布。

6.如权利要求5所述的套刻误差补偿精度的测量方法，其特征在于，

所述基于所述套刻偏差和所述套刻偏差分布并通过补偿公式计算出对应的水平和垂直方向补偿参数的补偿波动范围的具体方式为：

基于所述套刻偏差和所述套刻偏差分布并通过补偿公式对所述曝光场的偏差进行计算，得到误差平均值和偏差值；

基于所述误差平均值和所述偏差值计算水平和垂直方向的套刻偏移量；

基于所述套刻偏移量得到对应的水平和垂直方向补偿参数的补偿波动范围。