[发明专利]P型MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底内定义有若干有源区以及将各有源区相互间隔的若干浅沟槽隔离结构，所述有源区表面形成有垫氧化层；

在所述垫氧化层的保护下对所述有源区进行N型深阱离子注入；

去除所述垫氧化层；

于所述有源区表面形成牺牲氧化层；

在所述牺牲氧化层的保护下对所述有源区依次进行隔离元素注入、氪元素注入和阈值电压调节元素注入以依次形成隔离元素注入层、氪元素注入层和阈值电压调节元素注入层，所述氪元素用于在半导体基底内形成非晶化层，以提高后续的阈值电压调节元素的注入均匀性；

进行高温退火，以修复损伤并激活杂质；

去除所述牺牲氧化层；

形成栅极介质、栅极和源漏电极。

2.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述隔离元素包括磷，所述阈值电压调节元素包括砷。

3.根据权利要求2所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，磷元素的注入能量为50KeV～400KeV，注入剂量为1*10¹²/cm^-2～1*10¹⁵/cm^-2。

4.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，氪元素的注入能量为5KeV～50KeV，注入剂量为1*10¹³/cm^-2～1*10¹⁶/cm^-2。

5.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，形成所述牺牲氧化层的方法为湿法氧化工艺，湿法氧化工艺的温度为900℃～1200℃，形成的牺牲氧化层的厚度为20埃～80埃。

6.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，去除所述垫氧化层和牺牲氧化层的方法包括湿法刻蚀和/或干法刻蚀。

7.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，高温退火工艺的温度为1050℃～1250℃。

8.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，去除所述垫氧化层后，所述浅沟槽隔离结构的上表面高于所述有源区的上表面，且高度差大于等于60埃。

9.根据权利要求1所述的P型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，形成源漏电极后再形成与源漏电极电连接的互连结构。

10.一种P型MOSFET器件，其特征在于，所述P型MOSFET器件基于权利要求1-9任一项所述的方法制备而成。