[发明专利]一种程序烧录装置系统及方法在审
申请号: | 202111563935.7 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114282475A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 吴会祥;李文学;侯庆庆;林凡淼 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | G06F30/347 | 分类号: | G06F30/347;G06F15/78;G06F115/02;G06F119/04 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨强;杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 程序 装置 系统 方法 | ||
本发明涉及一种程序烧录装置系统及方法,其中的程序烧录装置系统,包括控制模块、Flash模块、SoC模块,包括控制模块、Flash模块以及SoC模块之间依次串联相连;一种程序烧录方法,所述的烧录方法基于所述的烧录装置系统搭建设计,同时烧录方法按照联网状态不同,分为在线烧录方法、离线烧录方法、在线离线混合烧录方法,所述SoC模块中的各SoC工位均采用Flash启动方式启动,通过控制模块控制存储使能引脚,实现自动将Flash存储芯片内部程序烧录到其RAM中;所述SoC模块中在所有SoC工位程序都烧录完成后,Flash存储芯片供电电源被切断。本发明具有操作方便、节约成本以及节省资源等方面的优点。
技术领域
本发明涉及程序烧录技术,尤其是指一种程序烧录装置系统及方法。
背景技术
目前,在SoC(System onChip)老化验证方面,一部分SoC的在设计之初省略了内嵌Flash(Flash EEPROM Memory)存储模块方面的成本。因此,在这类SoC老化验证方面就不得不匹配对应的Flash存储芯片进行老化程序存储,这里带来的问题是:一是成本问题,军用芯片的老化温度在+125℃,因此在SoC老化时就需要对应的耐+125℃的Flash存储芯片进行SoC的老化等程序存储,相较于普通测试的消费级Flash存储芯片,成本上成倍增加;二是人工时间,在SoC老化板的工位上,每个工位对应放置一颗Flash存储芯片,而每一颗的Flash存储芯片都需要单独在线或者离线烧录,使得这样的烧录耗时耗费人工精力;三是资源浪费,每一颗耐+125℃的Flash存储芯片在这一个项目结束后,别的项目难以继续使用,这样就造成很大的资源浪费。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中无内嵌Flash存储模块的SoC老化等验证方面不足,满足不同情况下的验证需求的问题,从而提供一种程序烧录装置系统及方法。
为解决上述技术问题,一种程序烧录装置系统,其特征在于,包括控制模块、Flash模块、SoC模块,包括控制模块、Flash模块以及SoC模块之间依次串联相连;
所述的控制模块包括串口总线、JTAG信号检测电路、SoC工位信号检测电路、SoC存储使能引脚控制电路、Flash电源控制电路、单片机和LED显示电路;所述的串口总线、JTAG信号检测电路、SoC工位信号检测电路、SoC存储使能引脚控制电路、Flash电源控制电路和LED显示电路都与单片机分别相连;所述的串口总线、JTAG信号检测电路、SoC工位信号检测电路和SoC存储使能引脚控制电路与SoC模块分别相连;所述的Flash电源控制电路与Flash模块相连。
在本发明的一个实施例中,所述的SoC模块包括2n个SoC工位;所述的SoC模块矩阵式布局是n行*n列,或2行*n列,其中的n为正自然数。
在本发明的一个实施例中,所述的SoC工位侧均设有一个JTAG调试端口,所述的JTAG调试端口引脚数量为16位。
在本发明的一个实施例中,所述的JTAG调试端口第10位引脚为JTAG检测信号引脚;所述的JTAG检测信号引脚上拉电源。
在本发明的一个实施例中,所述的SoC工位中任意GPIO引脚与SoC工位信号检测电路相连,且所述的该GPIO引脚下拉电阻接地。
在本发明的一个实施例中,所述的SoC工位的所有地址线、所有数据线、所有串口总线都单独相连,且所述的地址线和数据线数据位宽不局限于16位。
在本发明的一个实施例中,所述的JTAG信号检测电路和SoC工位信号检测电路中均设有光电耦合器件。
在本发明的一个实施例中,所述的单片机包括总线控制器、主从控制器和GPIO控制器;所述的总线控制器与串口总线连接;所述的主从控制器与JTAG信号检测电路连接;所述的GPIO控制器分别与SoC工位信号检测电路、SoC存储使能引脚控制电路、Flash电源控制电路和LED显示电路相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所,未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111563935.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。