[发明专利]一种高精度电流传感器的多层屏蔽结构

权利要求书

1.一种高精度电流传感器的多层屏蔽结构，所述屏蔽结构包括上盖结构、内层底壳结构和外层底壳结构；其特征是：

所述上盖结构包括圆形平板、碗状连接结构和圆筒形结构，所述圆形平板、所述碗状连接结构和所述圆筒形结构为一个同心的圆筒形的上盖一体结构，所述上盖一体结构的内部形成一个上盖内圆环，所述圆形平板的中心设有碗状连接结构，所述碗状连接结构把所述圆形平板和所述圆筒形结构连接到一起；

所述内层底壳结构包括内层底壳内壁、内层底壳外壁和碗状连接圆环，所述内层底壳内壁、所述内层底壳外壁和所述碗状连接圆环为一个同心的圆筒形的一体结构，所述碗状连接圆环把所述内层底壳内壁和所述内层底壳外壁连接为一个整体，所述整体的内壁形成一个内层同心圆；

所述外层底壳结构包括外层底壳外壁、底部圆环和碗状连接结构，所述外层底壳外壁、所述底部圆环和所述碗状连接结构为一个同心的圆筒形的一体结构，所述碗状连接圆环把所述外层底壳外壁和底部圆环连接到一起；

所述圆形平板直径与所述内层底壳结构直径相同，所述上盖结构中的圆形平板嵌入在内层底壳结构上，组成一个组件，所述内层底壳外壁直径大于所述圆筒形结构，所述圆筒形结构与所述内层底壳外壁组成内部屏蔽层。

2.根据权利要求1所述的高精度电流传感器的多层屏蔽结构，其特征是：所述圆筒形结构的高度小于所述内层底壳结构的高度与所述内层底壳内壁的高度之差，所述圆筒形结构与所述内层底壳内壁之间形成一条内侧缝隙，所述内侧缝隙构成了磁感应芯片感应导线电流形成的磁场而设置的缺口。

3.根据权利要求1或2所述的高精度电流传感器的多层屏蔽结构，其特征是：所述圆形平板的高度与所述内层底壳结构的高度之和与所述外层底壳结构的高度相同，所述上盖结构中的圆形平板直径与所述内层底壳结构直径相同且小于所述外层底壳结构的直径，所述组件完全嵌入到外层底壳结构中，组成完整的屏蔽壳组件，此时内层底壳与外层底壳形成非接触式或非紧密接触式磁导体的屏蔽体。

4.根据权利要求3所述的高精度电流传感器的多层屏蔽结构，其特征是：所述壳体结构的材料为为电工纯铁材料。

5.根据权利要求3所述的高精度电流传感器的多层屏蔽结构，其特征是：所述上盖结构的圆形平板的高度与所述外层底壳结构的外壁高度相等。

6.根据权利要求1所述的高精度电流传感器的多层屏蔽结构，其特征是：所述内层底壳底部为U形，所述外层底壳底部的截面为环状结构。

7.根据权利要求1所述的高精度电流传感器的多层屏蔽结构，其特征是：所述上盖内圆环的直径和所述内层同心圆的直径相等。