[发明专利]110偏晶向硅片的制备工艺

权利要求书

1.110偏晶向硅片的制备工艺，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；其特征在于：

选择晶向为100的单晶硅圆棒；

单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转45°，再将单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；

单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为110偏θ角。

2.根据权利要求1所述的110偏晶向硅片的制备工艺，其特征在于，所述θ角大于0°，且θ角小于45°。

3.根据权利要求1所述的110偏晶向硅片的制备工艺，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：

先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；

再将硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为110偏θ角。

4.根据权利要求1所述的110偏晶向硅片的制备工艺，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：

先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；

再对硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；

再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为110偏θ角。

5.根据权利要求1所述的110偏晶向硅片的制备工艺，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：

先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；

再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割；

再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为110偏θ角。

6.根据权利要求1所述的110偏晶向硅片的制备工艺，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：

先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；

再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割；

再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；

再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为110偏θ角。

7.根据权利要求1所述的110偏晶向硅片的制备工艺，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：

先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；

再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时平行于硅块的端面对硅块进行切割；

再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为110偏θ角。