[发明专利]一种高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜及其制备工艺有效
申请号: | 202111559649.3 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114016108B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 迟美月;崔永利;宋航;徐靖富;倪长亮;崔耀文;吴俊东;张庆小;刘顺 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨三泳金属表面技术有限公司 |
主分类号: | C25D11/08 | 分类号: | C25D11/08;C25D11/10;C25D11/16;C25D11/24 |
代理公司: | 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560 | 代理人: | 陈安玥 |
地址: | 150060 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高硅高铜 压铸 铝合金 表面 氧化 及其 制备 工艺 | ||
1.一种高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜的制备工艺,包括以下步骤:
S1对压铸铝合金工件表面进行预处理;
S2对压铸铝合金工件表面进行阳极氧化,阳极氧化液主要由100~250g/L硫酸、13~65g/L草酸、7.5~40g/L乙醇酸、2.5~13g/L甘油、0.5~10g/L硫酸盐、10~20wt%PTFE以及添加剂组成,所述添加剂由0.5~5g/L四丁基氟化铵、0.3~1g/L六亚甲基四胺和5-55g/L三异丙氧基铝组成;在阳极氧化液中,铝离子的含量≤15g/L;阳极氧化工艺为电源采用高频叠加脉冲电源,电压为60~80V,电流密度为1~6A/dm2,频率为10~1000Hz,占空比为60~95%,电解液的温度为0~20℃,氧化时间为40~120min;
S3两步封孔处理工艺,第一步为S31,对水洗后的压铸铝合金工件进行封孔1处理,然后进行水洗;第二步为S32,对S31处理后的压铸铝合金工件进行封孔2处理,然后进行水洗;所述S31采用的封闭剂为高温沸水;所述S32采用的封闭剂为高温PTFE乳浊液,PTFE的含量为40wt%~70wt%,所述高温温度为50~80℃。
2.根据权利要求1所述的高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜的制备工艺,其特征在于:所述硫酸盐为硫酸钯、硫酸镍、硫酸锰和硫酸铈中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜的制备工艺,其特征在于:所述预处理包括S11~S13三步,S11将压铸铝合金工件装挂,进行脱脂处理,然后进行水洗;S12采用碱蚀液对压铸铝合金工件表面进行碱蚀处理,然后进行水洗;S13采用中和液对压铸铝合金工件表面进行中和出光抛光,然后进行水洗。
4.根据权利要求1所述的高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜的制备工艺,其特征在于:还包括后续步骤S4,所述后续步骤S4为将S3处理后的压铸铝合金工件烘干、卸挂、检验,检验合格后包装。
5.一种高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜,其特征在于:采用权利要求1-4任一项所述的高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜的制备工艺制成。
6.根据权利要求5所述的高硅高铜压铸铝合金的表面氧化膜,其特征在于:表面氧化膜的厚度为25~70μm,粗糙度比原始膜层低0.1~0.3μm,硬度为250~550Hv。
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